IPC H01L21/28 專利列表
共 138 筆結果
減少介面粗糙度之鎳矽化物
高級微裝置公司
案號 0921134292003-05-19IPC H01L21/28
可製造具有不同尺寸之晶粒之ＭＯＳ閘裝置之表面幾何圖形和其製法
通用半導體股份有限公司
案號 0921124712003-05-07IPC H01L21/28
鑲嵌結構之位元線接觸窗插塞的製作方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921120112003-05-01IPC H01L21/28
使用矽化之金屬閘極電極以及其形成方法
高級微裝置公司
案號 0921101112003-04-30IPC H01L21/28
自我對準接觸窗形成方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921099802003-04-29IPC H01L21/28
積體電路元件結構中製作閘極之方法
應用材料股份有限公司
案號 0921087402003-04-15IPC H01L21/28
具有局部蝕刻閘極之半導體結構及其製作方法
茂德科技股份有限公司
案號 0921076012003-04-03IPC H01L21/28
一種以鎳／銅金屬誘導橫向成長多晶矽薄膜的方法
國立台灣大學
案號 0921074452003-04-01IPC H01L21/283
電鍍裝置、電鍍杯及陰極環
大日本斯克琳製造股份有限公司
案號 0921066112003-03-25IPC H01L21/283
於內連線中電鍍均質銅│錫合金以增進抗電致遷移能力
應用材料股份有限公司
案號 0921066942003-03-25IPC H01L21/283
可增加穿透電壓之高壓元件及其與低壓元件製程匹配之製作方法
世界先進積體電路股份有限公司
案號 0921064852003-03-24IPC H01L21/28
半導體裝置以及其製造方法
日商艾普凌科有限公司
案號 0921053802003-03-12IPC H01L21/28
積體電路元件結構中用於製造閘極之方法
應用材料股份有限公司
案號 0921054002003-03-12IPC H01L21/28
半導體元件之製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921048892003-03-07IPC H01L21/283
金屬膜之製造方法及製造裝置
佳能安內華股份有限公司
案號 0921046562003-03-05IPC H01L21/28
半導體元件以及使用該元件之半導體裝置
半導體能源研究所股份有限公司
案號 0921047002003-03-05IPC H01L21/28
藉由去耦電漿氮化後退火之改良超薄閘極氧化物
特許半導體製造公司
案號 0921041452003-02-27IPC H01L21/28
具有形成於半導體領域之不同金屬半導體部分之半導體裝置，及半導體裝置之製造方法
格羅方德半導體公司
案號 0921039932003-02-26IPC H01L21/283
多晶矽化金屬閘極之形成方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921036092003-02-21IPC H01L21/28
半導體結構中接觸之製造方法及對應接觸
億恆科技股份公司
案號 0921034632003-02-19IPC H01L21/283