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IPC H01L21/30 專利列表

共 510 筆結果

玻璃為主之半導體上絕緣體結構

康寧公司

案號 0931040782004-06-06IPC H01L21/30

使用一液槽對矽晶圓進行一個面的濕式化學處理的方法

雷納公司

案號 0931079312004-03-24IPC H01L21/306

處理元件用之障壁層及其形成方法

東京威力科創股份有限公司

案號 0931078392004-03-23IPC H01L21/304

電子束處理方法及電子束處理裝置

東京威力科創股份有限公司

案號 0931076712004-03-22IPC H01L21/30

清潔片材及其製造方法暨具有該清潔片材之搬送構件

日東電工股份有限公司

案號 0931074212004-03-19IPC H01L21/304

研磨機台之膜層厚度的偵測窗

應用材料股份有限公司

案號 0931073492004-03-18IPC H01L21/304

半導體裝置及半導體裝置製造方法

東芝股份有限公司

案號 0931070852004-03-17IPC H01L21/301

半導體裝置

東芝股份有限公司

案號 0931071072004-03-17IPC H01L21/301

沉積一厚膜電介質於一基材上之方法

安捷倫科技公司

案號 0931071312004-03-17IPC H01L21/30

電研磨之即時製程控制的方法與系統

應用材料股份有限公司

案號 0931071772004-03-17IPC H01L21/304

基板化學處理用之處理系統及方法

東京威力科創股份有限公司

案號 0931070482004-03-17IPC H01L21/3065

用於應變矽製程之淺溝隔離

格羅方德半導體公司

案號 0931066242004-03-12IPC H01L21/306

使用乾蝕刻將藍寶石晶圓分成晶片之方法

三星電機股份有限公司

案號 0931066232004-03-12IPC H01L21/3065

改良之總體雙道金屬鑲嵌平坦化系統、方法與設備

蘭姆研究公司

案號 0931066492004-03-12IPC H01L21/304

形成金屬鑲嵌結構的方法

台灣積體電路製造股份有限公司

案號 0931066342004-03-12IPC H01L21/3065

涉及微電子、光電或光學之有效層轉移之基板或基板上組件製造方法

斯歐埃技術公司

案號 0931067892004-03-12IPC H01L21/302

紫外線照射方法及使用此種方法的裝置

日東電工股份有限公司

案號 0931062792004-03-10IPC H01L21/30

光阻塗佈機及光阻塗佈方法

奇美電子股份有限公司

案號 0931062342004-03-09IPC H01L21/30

保護膠帶的貼附、剝離方法

日東電工股份有限公司

案號 0931056472004-03-04IPC H01L21/304

使用活性輔助氣體之雷射切削加工

電子科學工業有限公司

案號 0931056952004-03-04IPC H01L21/304

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