IPC H01L21/30 專利列表
共 510 筆結果
基板處理裝置及裝置的製造方法
日商國際電氣股份有限公司
案號 0931056442004-03-04IPC H01L21/302
保護膠帶的貼附、剝離方法
日東電工股份有限公司
案號 0931056472004-03-04IPC H01L21/304
具金屬互連配線之基板之洗淨裝置
荏原製作所股份有限公司
案號 0931055032004-03-03IPC H01L21/306
ＩＩＩ-Ｖ族半導體之選擇性蝕刻方法及溶液
王永和
案號 0931050992004-02-27IPC H01L21/302
藉由局部晶圓溫度控制以跨越一晶圓作臨界大小變異補償
藍姆研究公司
案號 0931051822004-02-27IPC H01L21/302
半導體裝置及其製造方法
半導體能源研究所股份有限公司
案號 0931048052004-02-25IPC H01L21/30
蝕刻系統及其純水添加裝置
群創光電股份有限公司
案號 0931045842004-02-24IPC H01L21/30
隔離溝槽之結構及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0931045562004-02-24IPC H01L21/306
半導體裝置之製造方法及半導體裝置之製造裝置
東芝股份有限公司
案號 0931046232004-02-24IPC H01L21/302
四邊扁平無導線構裝（ＱＦＮ）基材之處理方法
迪思科股份有限公司
案號 0931043412004-02-20IPC H01L21/301
在半導體基底內形成深溝之方法及複合式硬罩
南亞科技股份有限公司
案號 0931041722004-02-20IPC H01L21/306
清潔方法
新力股份有限公司
案號 0931041272004-02-19IPC H01L21/306
多段式處理裝置
日商新創機電科技股份有限公司
案號 0931039102004-02-18IPC H01L21/304
於圖案化介電層上電鍍銅以增進後續化學機械研磨製程之製程均勻性的方法與針對化學機械研磨製程決定金屬層的最佳表面粗糙度的方法
格羅方德半導體公司
案號 0931038772004-02-18IPC H01L21/302
液相蝕刻方法及液相蝕刻裝置
松下電器產業股份有限公司
案號 0931039732004-02-18IPC H01L21/306
圖案化光阻層的形成方法及其製造機台
聯華電子股份有限公司
案號 0931038572004-02-18IPC H01L21/30
製造一半導體元件之方法
恩智浦美國公司
案號 0931039072004-02-18IPC H01L21/302
製造半導體裝置的方法及設備
東部電子股份有限公司
案號 0931039852004-02-18IPC H01L21/3063
淺溝渠隔離結構及其製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0931037012004-02-17IPC H01L21/306
在使用端點產生稀硫酸過氧化物的方法
應用材料股份有限公司
案號 0931035732004-02-13IPC H01L21/304