IPC H01L21/302 專利列表
共 76 筆結果
回收一基材的方法
Ｓ Ｏ Ｉ ＴＥＣ 絕緣層上矽科技公司
案號 0921337592003-12-01IPC H01L21/302
電漿處理裝置及半導體製造裝置
東芝股份有限公司
案號 0921325892003-11-20IPC H01L21/302
玻璃基板及其精修方法
超威光電股份有限公司
案號 0921319292003-11-14IPC H01L21/302
在金屬層蝕刻後之移除光阻的方法
上海宏力半導體製造有限公司
案號 0921307862003-11-04IPC H01L21/302
製備整個半導體晶圓以供分析的分法
史崔斯保公司
案號 0921302142003-10-30IPC H01L21/302
半導體的清洗方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921298712003-10-28IPC H01L21/302
光束均勻器，雷射照射裝置，和半導體裝置之製造方法
半導體能源研究所股份有限公司
案號 0921257512003-09-18IPC H01L21/302
電化輔助化學機械拋光中移除行程之控制
應用材料股份有限公司
案號 0921255322003-09-16IPC H01L21/302
化學機械研磨裝置用研磨漿調製供給裝置及其方法
ｍ ＦＳＩ股份有限公司
案號 0921248532003-09-09IPC H01L21/302
電漿處理方法及電漿處理裝置
東京威力科創股份有限公司
案號 0921239782003-08-29IPC H01L21/302
圖案形成方法
松下電器產業股份有限公司
案號 0921231772003-08-22IPC H01L21/302
磁控管電漿用磁場產生裝置
信越化學工業股份有限公司
案號 0921230642003-08-21IPC H01L21/302
顯影方法、基板處理方法及基板處理裝置
日商鎧俠股份有限公司
案號 0921229012003-08-20IPC H01L21/302
半導體裝置及半導體裝置之製造方法
日商鎧俠股份有限公司
案號 0921226222003-08-18IPC H01L21/302
具有不同厚度之閘極絕緣膜的半導體元件之製造方法
富士通半導體股份有限公司
案號 0921220972003-08-12IPC H01L21/302
利用障壁及犧牲層之厚度測量及移除之調適性電解拋光
ＡＣＭ研究股份有限公司
案號 0921200012003-07-22IPC H01L21/302
增加介電層與基底間連接強度之結構及方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921196252003-07-18IPC H01L21/302
反應裝置之可靠性的改善方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921183182003-07-04IPC H01L21/302
移除晶圓表面微粒裝置及方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921182832003-07-04IPC H01L21/302
微粒生成器
巴特爾紀念機構
案號 0921158162003-06-11IPC H01L21/302