IPC H01L21/304 專利列表
共 149 筆結果
銅和阻障層之整合化學機械拋光的方法和設備
ＡＳＭ努突爾股份有限公司
案號 0921055432003-03-13IPC H01L21/304
強化之化學機械平坦化用帶
蘭姆研究公司
案號 0921054362003-03-12IPC H01L21/304
半導體基板、半導體晶片、以及半導體裝置之製造方法
濱松赫德尼古斯股份有限公司
案號 0921052912003-03-12IPC H01L21/304
半導體元件平坦化方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921049712003-03-07IPC H01L21/304
研磨用組合物及使用該組合物之配線構造的形成方法
福吉米股份有限公司
案號 0921045492003-03-04IPC H01L21/304
切割方法，積體電路元件的檢查方法，基板保持裝置及粘著薄膜
東京威力科創股份有限公司
案號 0921044412003-03-03IPC H01L21/304
用以清洗及乾燥半導體晶圓之方法及裝置
Ａ技術股份有限公司
案號 0921038762003-02-25IPC H01L21/304
具平坦化膜之基板、顯示裝置用基板、及該等基板之製造方法
夏普股份有限公司
案號 0921032892003-02-18IPC H01L21/304
金屬基質之化學－機械研磨方法
默克專利有限公司
案號 0921027702003-02-11IPC H01L21/304
由一帶狀晶片組分離出單獨之疊層晶片組之切割裝置，該分離方法，及製作該切割裝置之方法
聖高拜磨料有限公司
案號 0921022262003-01-30IPC H01L21/304
減低污染物在超臨界二氧化碳處理期間生成的方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921017062003-01-27IPC H01L21/304
半導體製造裝置、研磨液供給裝置、研磨液特性之檢測方法、以及半導體裝置之製造方法
三菱電機股份有限公司
案號 0921012152003-01-21IPC H01L21/304
表面處理方法、半導體裝置、半導體裝置之製造方法、及處理裝置
新力股份有限公司
案號 0921011142003-01-20IPC H01L21/304
保護帶之切斷方法及使用該保護帶之保護帶黏貼裝置
日東電工股份有限公司
案號 0921007472003-01-15IPC H01L21/304
劈開晶圓諸層之程序
斯歐埃技術公司
案號 0921007432003-01-15IPC H01L21/304
碳化矽監控晶圓之製造方法
三井造船股份有限公司
案號 0921006742003-01-14IPC H01L21/304
半導體晶圓和其製造方法
ＪＸ金屬股份有限公司
案號 0921001052003-01-03IPC H01L21/304
自基板削除一層之裝置及相關方法
斯歐埃技術公司
案號 0921000022003-01-02IPC H01L21/304
用以切割基質層之裝置及其方法
斯歐埃技術公司
案號 0921000012003-01-02IPC H01L21/304
增進化學研磨程序終點偵穩定度之厚金屬層沉積製程
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0911380832002-12-31IPC H01L21/304