IPC H01L21/3065 專利列表
共 120 筆結果
於光阻蝕刻中之預終點技術
泛林股份有限公司
案號 0921290292003-10-20IPC H01L21/3065
製程反應室的定壓控制方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921290462003-10-20IPC H01L21/3065
圖案化金屬層的方法與金屬內連線的製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921288312003-10-17IPC H01L21/3065
蝕刻含矽介電材料之方法
應用材料股份有限公司
案號 0921280072003-10-08IPC H01L21/3065
電漿表面處理裝置
積水化學工業股份有限公司
案號 0921278162003-10-07IPC H01L21/3065
減少晶圓電弧之方法
蘭姆研究公司
案號 0921270322003-09-30IPC H01L21/3065
多晶矽蝕刻方法
山葉股份有限公司
案號 0921264832003-09-25IPC H01L21/3065
圖案化金屬層的方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921256922003-09-18IPC H01L21/3065
電漿蝕刻裝置用構件及其製造方法
信越石英股份有限公司
案號 0921256802003-09-16IPC H01L21/3065
氣體分佈平板
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921255302003-09-16IPC H01L21/3065
用於減少於基板及基板支撐上聚合物沈積之裝置
藍姆研究公司
案號 0921250852003-09-10IPC H01L21/3065
形成奈米尖端陣列的方法
中央研究院
案號 0921245662003-09-05IPC H01L21/3065
矽蝕刻方法及蝕刻裝置
東京威力科創股份有限公司
案號 0921243582003-09-03IPC H01L21/3065
用於乾蝕刻金屬層後之晶圓放電方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921236932003-08-28IPC H01L21/3065
具有高深寬比特徵之蝕刻方法
應用材料股份有限公司
案號 0921224152003-08-14IPC H01L21/3065
電漿處理裝置
東京威力科創股份有限公司
案號 0921223602003-08-14IPC H01L21/3065
硬式遮罩臨界尺寸修整方法
蘭姆研究公司
案號 0921222872003-08-13IPC H01L21/3065
具有強化晶圓邊緣射頻耦合與高效能晶圓冷卻的電漿反應器之低損耗射頻偏壓電極
應用材料股份有限公司
案號 0921221692003-08-12IPC H01L21/3065
以電磁輻射放射原地監視基底溫度之方法
泛林股份有限公司
案號 0921221652003-08-12IPC H01L21/3065
電漿洗淨裝置
島津製作所股份有限公司
案號 0921219652003-08-11IPC H01L21/3065