IPC H01L21/306 專利列表
共 217 筆結果
單側式內埋帶之製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0931018002004-01-28IPC H01L21/306
製造閘極結構及藉其製造半導體裝置之方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0931013252004-01-19IPC H01L21/3065
利用高溫含氫電漿由處理室及晶圓表面移除物質的方法與設備
東京威力科創股份有限公司
案號 0931010112004-01-15IPC H01L21/3065
管理半導體製造設備之方法及管理半導體生產線的系統
川崎微電子股份有限公司
案號 0931008102004-01-13IPC H01L21/3065
多層結構晶圓移除一薄層後之回收
斯歐埃技術公司
案號 0931003882004-01-07IPC H01L21/306
製造半導體裝置之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921376612003-12-31IPC H01L21/306
具有溝渠形式裝置隔離層之半導體裝置的製造方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921372962003-12-29IPC H01L21/306
小間隙電漿電極定位及晶圓傳輸方法及其裝置
財團法人工業技術研究院
案號 0921364752003-12-23IPC H01L21/3065
用以產生電漿之電漿處理室
泛林股份有限公司
案號 0921362732003-12-19IPC H01L21/3063
製造用於電磁裝置的通量集中系統之方法
艾爾斯賓科技公司
案號 0921362222003-12-19IPC H01L21/3065
基板支撐裝置及基板取出方法
理爾萊茲高等科技股份有限公司
案號 0921360152003-12-18IPC H01L21/306
選擇性磊晶成長製程前表面預處理方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921351232003-12-12IPC H01L21/3065
用以製作小特徵之半導體製造方法
恩智浦美國公司
案號 0921352222003-12-12IPC H01L21/3065
半導體裝置之製造方法
半導體能源研究所股份有限公司
案號 0921352702003-12-12IPC H01L21/3063
均勻蝕刻系統
泛林股份有限公司
案號 0921349002003-12-10IPC H01L21/306
電漿處理裝置及電漿處理方法
液晶先端技術開發中心股份有限公司
案號 0921339442003-12-02IPC H01L21/3065
電漿處理裝置及方法以及電漿處理裝置之電極板
東京威力科創股份有限公司
案號 0921332342003-11-26IPC H01L21/3065
電漿處理裝置及方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921332372003-11-26IPC H01L21/3065
自基材表面移除氧化矽之方法
飛思卡爾半導體公司
案號 0921324112003-11-19IPC H01L21/306
蝕刻結構側壁平坦化之方法
財團法人工業技術研究院
案號 0921319172003-11-14IPC H01L21/306