IPC H01L21/306 專利列表
共 217 筆結果
微電子結構之製造方法及由彼所製得的微電子結構
英特爾股份有限公司
案號 0921311052003-11-06IPC H01L21/3065
多層膜材料之乾式蝕刻方法
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921304392003-10-31IPC H01L21/3065
提供高於室溫的液態化學物質與晶圓反應的方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921304262003-10-31IPC H01L21/306
於矽苛性蝕刻中使用添加劑以獲得改良表面特性之方法
界面動力有限公司
案號 0921295272003-10-24IPC H01L21/306
電漿蝕刻製程終點偵測方法及設備
東京威力科創股份有限公司
案號 0921294152003-10-23IPC H01L21/3065
利用終點信號以決定蝕刻特性的方法及設備
東京威力科創股份有限公司
案號 0921294142003-10-23IPC H01L21/3065
製程反應室的定壓控制方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921290462003-10-20IPC H01L21/3065
於光阻蝕刻中之預終點技術
泛林股份有限公司
案號 0921290292003-10-20IPC H01L21/3065
對於半導體處理室之氟之次大氣壓供給
ＢＯＣ集團公司
案號 0921288662003-10-17IPC H01L21/306
晶圓清洗之旋轉溼製程及其設備
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921289362003-10-17IPC H01L21/306
圖案化金屬層的方法與金屬內連線的製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921288312003-10-17IPC H01L21/3065
具有高介電常數介電層之閘極結構及其製作方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921288122003-10-17IPC H01L21/306
蝕刻含矽介電材料之方法
應用材料股份有限公司
案號 0921280072003-10-08IPC H01L21/3065
電漿表面處理裝置
積水化學工業股份有限公司
案號 0921278162003-10-07IPC H01L21/3065
使用氣泡的基材表面處理方法及設備
財團法人工業技術研究院
案號 0921277152003-10-06IPC H01L21/306
減少晶圓電弧之方法
蘭姆研究公司
案號 0921270322003-09-30IPC H01L21/3065
多晶矽蝕刻方法
山葉股份有限公司
案號 0921264832003-09-25IPC H01L21/3065
避免多晶矽層過蝕刻異常之方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921260722003-09-22IPC H01L21/306
以稠處理流體及超音波能量處理半導體元件的方法
氣體產品及化學品股份公司
案號 0921260282003-09-19IPC H01L21/306
蝕刻矽晶圓之方法
ＭＥＭＣ電子材料公司
案號 0921257322003-09-18IPC H01L21/306