IPC H01L21/30 專利列表
共 510 筆結果
基板材之乾燥裝置
東京化工機股份有限公司
案號 0921374232003-12-30IPC H01L21/304
具有溝渠形式裝置隔離層之半導體裝置的製造方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921372962003-12-29IPC H01L21/306
凸塊化晶圓之晶背研磨製程
日月光半導體製造股份有限公司
案號 0921372022003-12-26IPC H01L21/302
電漿蝕刻有機系材料膜之方法及裝置
日商東京威力科創股份有限公司
案號 0921371212003-12-26IPC H01L21/302
供用於平坦化之具有窗的拋光墊
片片堅俄亥俄州工業公司
案號 0921370952003-12-26IPC H01L21/304
化學機械研磨的近接校正方法及其校正圖案
華邦電子股份有限公司
案號 0921369802003-12-26IPC H01L21/304
平坦化電鍍金屬層與鑲嵌結構的製備方法以及金屬電鍍組成物
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921370292003-12-26IPC H01L21/302
供用於平坦化之拋光墊
片片堅俄亥俄州工業公司
案號 0921370752003-12-26IPC H01L21/304
使半導體本體之表面粗糙化所用之方法以及光電組件
歐斯朗奧托半導體股份有限公司
案號 0921370402003-12-26IPC H01L21/308
半導體晶圓之蝕刻方法及半導體晶圓之蝕刻裝置
東芝股份有限公司
案號 0921368522003-12-25IPC H01L21/302
用以製造半導體裝置之裝置隔離膜之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921367142003-12-24IPC H01L21/302
小間隙電漿電極定位及晶圓傳輸方法及其裝置
財團法人工業技術研究院
案號 0921364752003-12-23IPC H01L21/3065
製造用於電磁裝置的通量集中系統之方法
艾爾斯賓科技公司
案號 0921362222003-12-19IPC H01L21/3065
用以使電容耦合電漿增強並局部化之方法、設備及磁鐵組件
東京威力科創股份有限公司
案號 0921361512003-12-19IPC H01L21/302
用以產生電漿之電漿處理室
泛林股份有限公司
案號 0921362732003-12-19IPC H01L21/3063
基板支撐裝置及基板取出方法
理爾萊茲高等科技股份有限公司
案號 0921360152003-12-18IPC H01L21/306
半導體裝置之製造方法
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921357942003-12-17IPC H01L21/304
薄膜處理方法及薄膜處理裝置
東京威力科創股份有限公司
案號 0921354432003-12-15IPC H01L21/30
半導體裝置之製造方法
半導體能源研究所股份有限公司
案號 0921352702003-12-12IPC H01L21/3063
用以製作小特徵之半導體製造方法
恩智浦美國公司
案號 0921352222003-12-12IPC H01L21/3065