IPC H01L21/30 專利列表
共 510 筆結果
選擇性磊晶成長製程前表面預處理方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921351232003-12-12IPC H01L21/3065
晶圓切割方法
日月光半導體製造股份有限公司
案號 0921350822003-12-11IPC H01L21/304
化學機械研磨裝置及其研磨墊輪廓的控制系統與調節方法
茂德科技股份有限公司
案號 0921349732003-12-11IPC H01L21/304
均勻蝕刻系統
泛林股份有限公司
案號 0921349002003-12-10IPC H01L21/306
使用半導體及光學材料化學及機械平面化及拋光多成份懸浮研磨劑之方法
康寧公司
案號 0921347632003-12-08IPC H01L21/302
有機材料薄膜之處理方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921340812003-12-03IPC H01L21/30
電漿處理裝置及電漿處理方法
液晶先端技術開發中心股份有限公司
案號 0921339442003-12-02IPC H01L21/3065
半導體裝置及其製造方法
大見忠弘
案號 0921338232003-12-02IPC H01L21/304
回收一基材的方法
Ｓ Ｏ Ｉ ＴＥＣ 絕緣層上矽科技公司
案號 0921337592003-12-01IPC H01L21/302
藉由組合受應力之結構而製造複合結構之方法
原子能委員會
案號 0921336652003-12-01IPC H01L21/304
電漿處理裝置及方法以及電漿處理裝置之電極板
東京威力科創股份有限公司
案號 0921332342003-11-26IPC H01L21/3065
電漿處理裝置及方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921332372003-11-26IPC H01L21/3065
薄膜處理方法及薄膜處理系統
東京威力科創股份有限公司
案號 0921330822003-11-25IPC H01L21/30
清潔片材及基板處理設備之清潔方法
日東電工股份有限公司
案號 0921330162003-11-25IPC H01L21/304
晶圓切割道的結構
聯華電子股份有限公司
案號 0921325042003-11-20IPC H01L21/301
半導體裝置之製造方法，電漿製程裝置及電漿製程方法
松下電器產業股份有限公司
案號 0921325342003-11-20IPC H01L21/301
電漿處理裝置及半導體製造裝置
東芝股份有限公司
案號 0921325892003-11-20IPC H01L21/302
自基材表面移除氧化矽之方法
飛思卡爾半導體公司
案號 0921324112003-11-19IPC H01L21/306
洗淨劑組成物，半導體晶圓之洗淨方法，製造方法及半導體晶圓
昭和電工股份有限公司
案號 0921321692003-11-17IPC H01L21/304
蝕刻結構側壁平坦化之方法
財團法人工業技術研究院
案號 0921319172003-11-14IPC H01L21/306