IPC H01L21/30 專利列表
共 510 筆結果
玻璃基板及其精修方法
超威光電股份有限公司
案號 0921319292003-11-14IPC H01L21/302
基板處理裝置及基板處理方法
荏原製作所股份有限公司
案號 0921319512003-11-14IPC H01L21/304
利用光阻側壁保護以控制關鍵線寬之方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921318362003-11-13IPC H01L21/308
研磨構件
聯華電子股份有限公司
案號 0921316242003-11-12IPC H01L21/304
電蝕刻系統及方法
ＡＳＭ努突爾股份有限公司
案號 0921314922003-11-11IPC H01L21/304
晶圓之清洗方法及其裝置
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921313292003-11-07IPC H01L21/30
微電子結構之製造方法及由彼所製得的微電子結構
英特爾股份有限公司
案號 0921311052003-11-06IPC H01L21/3065
在金屬層蝕刻後之移除光阻的方法
上海宏力半導體製造有限公司
案號 0921307862003-11-04IPC H01L21/302
非臨界層之臨界尺寸的覆蓋標記
上海宏力半導體製造有限公司
案號 0921307712003-11-04IPC H01L21/30
提供高於室溫的液態化學物質與晶圓反應的方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921304262003-10-31IPC H01L21/306
多層膜材料之乾式蝕刻方法
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921304392003-10-31IPC H01L21/3065
製備整個半導體晶圓以供分析的分法
史崔斯保公司
案號 0921302142003-10-30IPC H01L21/302
黏膠片擴展方法及黏膠片擴展裝置
東京精密股份有限公司
案號 0921299212003-10-28IPC H01L21/301
半導體的清洗方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921298712003-10-28IPC H01L21/302
於矽苛性蝕刻中使用添加劑以獲得改良表面特性之方法
界面動力有限公司
案號 0921295272003-10-24IPC H01L21/306
處理半導體晶圓之方法
迪思科股份有限公司
案號 0921295962003-10-24IPC H01L21/304
清除刷毛污染物之清潔片（ＣＬＥＡＮＥＲ ＤＩＳＣ）
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921296362003-10-24IPC H01L21/304
電漿蝕刻製程終點偵測方法及設備
東京威力科創股份有限公司
案號 0921294152003-10-23IPC H01L21/3065
平坦化半導體晶粒的方法
希里康儲存技術公司
案號 0921294612003-10-23IPC H01L21/304
利用終點信號以決定蝕刻特性的方法及設備
東京威力科創股份有限公司
案號 0921294142003-10-23IPC H01L21/3065