IPC H01L21/318 專利列表
共 14 筆結果
可改善對準精確度之半導體製程
南亞科技股份有限公司
案號 0931076452004-03-22IPC H01L21/318
開口的形成方法
茂德科技股份有限公司
案號 0931068002004-03-15IPC H01L21/318
基板處理方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0931037992004-02-17IPC H01L21/318
表面改質方法
佳能股份有限公司
案號 0921326102003-11-20IPC H01L21/318
半導體裝置及其製造方法
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921298902003-10-28IPC H01L21/318
Ｓｉ０２／ＳｉＣ 結構中界面狀態之氮鈍化作用
美商沃孚半導體有限公司
案號 0921239692003-08-29IPC H01L21/318
製造一氮化的氧化矽閘極介電之方法
萬國商業機器公司
案號 0921178092003-06-30IPC H01L21/318
製造具有氧化矽／氮化矽／氧化矽層的半導體元件之方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921099602003-04-29IPC H01L21/318
電子裝置用材料及其製造方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921074292003-03-31IPC H01L21/318
基板處理方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921072132003-03-27IPC H01L21/318
基板處理方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921043102003-02-27IPC H01L21/318
次奈米絕緣膜之自由基氮化處理
東京威力科創股份有限公司
案號 0911355072002-12-06IPC H01L21/318
半導體積體電路裝置之製造方法
日立製作所股份有限公司
案號 0921197512002-04-19IPC H01L21/318
半導體積體電路裝置之製造方法
日立製作所股份有限公司
案號 0931021842001-07-26IPC H01L21/318