IPC H01L21/32 專利列表
共 175 筆結果
縱型熱處理裝置（二）
東京威力科創股份有限公司
案號 0921076402003-04-03IPC H01L21/324
半導體裝置
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921074952003-04-02IPC H01L21/32
微細電路配線形成方法及裝置
荏原製作所股份有限公司
案號 0921073512003-04-01IPC H01L21/326
用在可調靜電夾盤之可變溫度處理
藍姆研究公司
案號 0921073832003-04-01IPC H01L21/324
半導體裝置以及其製造方法
半導體能源研究所股份有限公司
案號 0921072782003-03-31IPC H01L21/322
應變補償之半導體結構及其製造方法
美商沃孚半導體有限公司
案號 0921069322003-03-27IPC H01L21/322
半導體熱處理用反射板及其製造方法
科發倫材料股份有限公司
案號 0921069162003-03-27IPC H01L21/324
利用加熱源組合之脈衝式處理半導體加熱方法
美商得昇科技股份有限公司
案號 0921068162003-03-26IPC H01L21/324
利用百萬週波超音波轉換器之諧振器施行之現場局部加熱
蘭姆研究公司
案號 0921068772003-03-26IPC H01L21/324
半導體裝置及其製造方法
ＮＥＣ電子股份有限公司
案號 0921064532003-03-21IPC H01L21/32
半導體裝置之製造方法
精工愛普生股份有限公司
案號 0921060542003-03-19IPC H01L21/326
用以於連續處理複數個物件時避免初始溫度下降之熱處理裝置
東京威力科創股份有限公司
案號 0921060222003-03-19IPC H01L21/324
積體電路裝置及其方法
恩智浦美國公司
案號 0921059072003-03-18IPC H01L21/3213
佈線金屬層之形成方法、選擇性形成金屬之方法、選擇性形成金屬之裝置及基板裝置
液晶先端技術開發中心股份有限公司
案號 0921053092003-03-12IPC H01L21/3205
晶圓級經塗覆之銅柱突起物
快捷半導體公司
案號 0921052542003-03-11IPC H01L21/326
矽單結晶層的製造方法及矽單結晶層
三菱住友矽晶股份有限公司
案號 0921046972003-03-05IPC H01L21/322
形成具有能量吸收層之半導體裝置的方法及其結構
摩托羅拉公司
案號 0921042282003-02-27IPC H01L21/324
熱處理裝置及製造基材的方法
日立國際電氣股份有限公司
案號 0921042792003-02-27IPC H01L21/324
半導體製造用加熱裝置
住友電氣工業股份有限公司
案號 0921042392003-02-27IPC H01L21/324
金屬膜半導體裝置及其形成方法
三星電子股份有限公司
案號 0921035162003-02-20IPC H01L21/3205