IPC H01L21/32 專利列表
共 175 筆結果
控制多晶矽層及具有多晶矽結構之半導體裝置中晶粒大小之方法
萬國商業機器公司
案號 0921130892003-05-14IPC H01L21/322
層排列之製造方法、層排列及記憶排列
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921131462003-05-14IPC H01L21/3205
降低半導體元件中二矽化鈷層的電阻值之方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921127602003-05-09IPC H01L21/324
藉電子束硬化低介電常數膜之方法
應用材料股份有限公司
案號 0921126192003-05-08IPC H01L21/3205
鈍化多晶矽的方法以及製造多晶矽薄膜電晶體的方法
統寶光電股份有限公司
案號 0921125332003-05-08IPC H01L21/324
快速熱退火製程
旺宏電子股份有限公司
案號 0921122092003-05-05IPC H01L21/324
用於半導體製程設備之抗鹵素陽極化鋁
應用材料股份有限公司
案號 0921121792003-05-02IPC H01L21/326
在含有感受器的處理室中加熱半導體基板的方法及系統
瑪森科技公司
案號 0921101072003-04-30IPC H01L21/324
光加熱裝置
牛尾電機股份有限公司
案號 0921101892003-04-30IPC H01L21/324
於互連結構中導電性無電式地沈積蝕刻阻擋層、襯墊層以及通孔栓之使用
英特爾公司
案號 0921097212003-04-25IPC H01L21/326
半導體裝置及其製造方法，電路基板及電子機器
精工愛普生股份有限公司
案號 0921094812003-04-23IPC H01L21/3205
金屬配線之形成方法及顯示裝置之製造方法
夏普股份有限公司
案號 0921094112003-04-22IPC H01L21/3205
掃描方式之熱通量處理
應用材料股份有限公司
案號 0921091472003-04-18IPC H01L21/324
成膜方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921089352003-04-17IPC H01L21/324
無電鍍敷方法及形成有金屬鍍敷層之半導體晶圓
ＪＸ金屬股份有限公司
案號 0921087752003-04-16IPC H01L21/326
具不同結晶性半導體薄膜之半導體元件、基材單元、其製造方法、以及液晶顯示器及其製造方法
液晶先端技術開發中心股份有限公司
案號 0921084832003-04-11IPC H01L21/324
供積體電路應用之低金屬多孔性矽石介電質
哈尼威爾國際公司
案號 0921081112003-04-09IPC H01L21/3205
絕緣層上有矽之半導體結構
聯華電子股份有限公司
案號 0921077912003-04-04IPC H01L21/3205
縱型熱處理裝置（一）
東京威力科創股份有限公司
案號 0921076392003-04-03IPC H01L21/324
奈米管接觸之製造
憶恆科技股份公司
案號 0921076682003-04-03IPC H01L21/326