IPC H01L21/762 專利列表
共 39 筆結果
薄層自包含緩衝層之晶圓之移轉
斯歐埃技術公司
案號 0921187652003-07-09IPC H01L21/762
應變半導體材料之層移轉
斯歐埃技術公司
案號 0921187662003-07-09IPC H01L21/762
半導體裝置中之電容器的製造方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921183072003-07-04IPC H01L21/762
具有幾何形狀溝槽之溝槽型電容的製程
南亞科技股份有限公司
案號 0921175402003-06-27IPC H01L21/762
電容結構及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921173732003-06-26IPC H01L21/762
使導電層與電容之電極形成良好電接觸的方法
茂德科技股份有限公司
案號 0921170802003-06-24IPC H01L21/762
具有埋入式平行電容之ＩＣ載板增層製程
日月光半導體製造股份有限公司
案號 0921166622003-06-19IPC H01L21/762
在半導體層中形成半導體裝置之方法及其結構
恩智浦美國公司
案號 0921141852003-05-26IPC H01L21/762
閘極介電層的製作方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921131712003-05-15IPC H01L21/762
處理多孔電介質膜以減少清潔期間之損壞的方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921085632003-04-14IPC H01L21/762
防止深渠溝之頂部尺寸擴大的領型介電層製程
南亞科技股份有限公司
案號 0921082222003-04-10IPC H01L21/762
增加溝槽電容器之電容的方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921074722003-04-02IPC H01L21/762
金氧半導體電晶體的製造方法
應用材料股份有限公司
案號 0921073092003-03-31IPC H01L21/762
積體電路製程中之側壁保護
茂德科技股份有限公司
案號 0921065352003-03-24IPC H01L21/762
半導體裝置及提供低基板電容區域之方法
半導體組件工業公司
案號 0921060472003-03-19IPC H01L21/762
具有介電質阻障層之鑲嵌結構及其製程
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921020592003-01-29IPC H01L21/762
SOI型半導體裝置及其製造方法
日商松下半導體解決方案股份有限公司
案號 0921013622003-01-22IPC H01L21/762
結合及轉移材料以形成半導體裝置之方法
飛思卡爾半導體公司
案號 0911362582002-12-16IPC H01L21/762
低Ｋ值介電層之形成
佳康控股有限公司
案號 0911338692002-11-20IPC H01L21/762