IPC H01L21/768 專利列表
共 223 筆結果
金屬，特別是銅電披覆方法、其應用方法及積體電路裝置
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921320862003-11-14IPC H01L21/768
半導體內連線之平坦化方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921318162003-11-13IPC H01L21/768
金屬內連線製程
聯華電子股份有限公司
案號 0921314802003-11-11IPC H01L21/768
ＩＣ裝置及其製造方法
曾世憲
案號 0921313702003-11-10IPC H01L21/768
自行對準接觸窗開口與無邊界接觸窗開口及其形成方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921308942003-11-05IPC H01L21/768
用以製造自行對準接觸窗結構之方法
上海宏力半導體製造有限公司
案號 0921307792003-11-04IPC H01L21/768
可避免短路之自行對準金屬矽化物製程的處理方法
上海宏力半導體製造有限公司
案號 0921308092003-11-04IPC H01L21/768
銅製程銲墊結構及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921306192003-11-03IPC H01L21/768
包括低電介係數電介質之銅金屬化層用之改善阻障層
高級微裝置公司
案號 0921304422003-10-31IPC H01L21/768
具有混合電介層之可靠低Ｋ互連結構
萬國商業機器公司
案號 0921303222003-10-30IPC H01L21/768
半導體裝置
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921300262003-10-29IPC H01L21/768
多層布線間之空洞形成方法
ＪＳＲ股份有限公司
案號 0921300232003-10-29IPC H01L21/768
金屬芯基體封裝
英特爾股份有限公司
案號 0921297882003-10-27IPC H01L21/768
有效電介常數極低之互連結構及其製造方法
美商格芯（美國）集成電路科技有限公司
案號 0921291682003-10-21IPC H01L21/768
半導體元件及其製造方法
三星電子股份有限公司
案號 0921288352003-10-17IPC H01L21/768
積體電路電容器結構
三星電子股份有限公司
案號 0921283912003-10-14IPC H01L21/768
製造半導體裝置之方法
新力股份有限公司
案號 0921278142003-10-07IPC H01L21/768
多層互補式導線結構及其製造方法
財團法人工業技術研究院
案號 0921275012003-10-03IPC H01L21/768
金屬鑲嵌之製造方法及其結構
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921273432003-10-02IPC H01L21/768
銅鈍化界面具有較高濃度合金原子之銅內連線之形成方法
高級微裝置公司
案號 0921264422003-09-25IPC H01L21/768