IPC H01L21/76 專利列表
共 492 筆結果
具溝槽絕緣之半導體組件及其製造方法
億恆科技股份公司
案號 0921190732003-07-11IPC H01L21/762
不具鋁尖凸之金屬層、電子元件與薄膜電晶體及其製造方法
奇美電子股份有限公司
案號 0921190852003-07-11IPC H01L21/768
淺溝渠隔離結構的製造方法與圖案化的方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921188242003-07-10IPC H01L21/76
薄層自包含緩衝層之晶圓之移轉
斯歐埃技術公司
案號 0921187652003-07-09IPC H01L21/762
半導體裝置之製造方法
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921187012003-07-09IPC H01L21/76
應變半導體材料之層移轉
斯歐埃技術公司
案號 0921187662003-07-09IPC H01L21/762
半導體裝置
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921185762003-07-08IPC H01L21/76
具抗反射塗層之內連線製造方法和結構
旺宏電子股份有限公司
案號 0921186472003-07-08IPC H01L21/768
內金屬介電層的測試圖案與方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921186502003-07-08IPC H01L21/768
形成瓶形溝槽的方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921185632003-07-08IPC H01L21/76
製造不同長度間隙層的方法
華邦電子股份有限公司
案號 0921185172003-07-07IPC H01L21/76
濕潤阻障層的製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921185262003-07-07IPC H01L21/76
用以降低光阻劑厚度及通道電阻之導線及接觸窗形成方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921184662003-07-07IPC H01L21/768
金屬插塞結構及其製作方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921185272003-07-07IPC H01L21/768
使用改良式雙重金屬鑲嵌之半導體元件之金屬內連線層的形成方法
三星電子股份有限公司
案號 0921184372003-07-07IPC H01L21/768
半導體裝置之製造方法
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921184602003-07-07IPC H01L21/768
製作半導體介電層之方法
矽統科技股份有限公司
案號 0921183172003-07-04IPC H01L21/76
磁性非揮發性記憶體元件
新力股份有限公司
案號 0921183482003-07-04IPC H01L21/76
半導體裝置中之電容器的製造方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921183072003-07-04IPC H01L21/762
半導體裝置及其製造方法
新力股份有限公司
案號 0921183492003-07-04IPC H01L21/768