IPC H01L21/76 專利列表
共 492 筆結果
溝槽隔離區的形成方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921200432003-07-23IPC H01L21/76
形成溝槽隔離區之方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921200442003-07-23IPC H01L21/76
積體電路自動對準元件之製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921200152003-07-22IPC H01L21/76
縮小積體電路之接觸部尺寸以製造多階層接觸之方法
高級微裝置公司
案號 0921199122003-07-22IPC H01L21/76
雙金屬鑲嵌溝深度監視系統
格羅方德半導體公司
案號 0921199162003-07-22IPC H01L21/768
浮置閘記憶體製造方法包含伴隨水平蝕刻部分之場效介電層蝕刻
茂德科技股份有限公司
案號 0921200142003-07-22IPC H01L21/762
半導體裝置及其製造方法
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921197952003-07-21IPC H01L21/768
應變半導體覆絕緣層型基底及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921197832003-07-21IPC H01L21/76
層之轉移方法
斯歐埃技術公司
案號 0921193432003-07-16IPC H01L21/762
增加轉移至支撐上之材料之有用層之面積之方法（二）
斯歐埃技術公司
案號 0921193452003-07-16IPC H01L21/762
增加轉移至支撐上之材料之有用層之面積之方法（一）
斯歐埃技術公司
案號 0921193442003-07-16IPC H01L21/762
絕緣體上矽多晶矽溝渠再填充周邊氧化物錨架構
北星創新股份有限公司
案號 0921192832003-07-15IPC H01L21/76
在一半導體裝置中形成一阻障金屬之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921191232003-07-14IPC H01L21/76
形成金屬線於半導體裝置中之方法
南韓商啟方半導體有限公司
案號 0921191342003-07-14IPC H01L21/768
半導體元件及其製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921191092003-07-14IPC H01L21/76
金屬內連線及其製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921191082003-07-14IPC H01L21/768
具溝槽絕緣之半導體組件及其製造方法
億恆科技股份公司
案號 0921190732003-07-11IPC H01L21/762
不具鋁尖凸之金屬層、電子元件與薄膜電晶體及其製造方法
奇美電子股份有限公司
案號 0921190852003-07-11IPC H01L21/768
介電質分離型半導體裝置及其製造方法
三菱電機股份有限公司
案號 0921189562003-07-11IPC H01L21/76
位元線接觸窗結構及其形成方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921189662003-07-11IPC H01L21/768