IPC H01L21/76 專利列表
共 492 筆結果
製作半導體介電層之方法
矽統科技股份有限公司
案號 0921183172003-07-04IPC H01L21/76
改善光阻平坦度的方法與溝槽電容器的製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921181552003-07-03IPC H01L21/768
控制深渠溝頂部尺寸的方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921181652003-07-03IPC H01L21/76
形成半導體裝置之隔離膜之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921182162003-07-03IPC H01L21/76
具有多層互連之半導體積體電路裝置
東芝股份有限公司
案號 0921182302003-07-03IPC H01L21/768
於半導體裝置中形成一隔離層之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921179722003-07-01IPC H01L21/76
包含應力調整帽層之互連結構
英屬開曼群島商格芯公司
案號 0921178102003-06-30IPC H01L21/768
用於快閃記憶體的自對準製程
旺宏電子股份有限公司
案號 0921177682003-06-30IPC H01L21/76
具有幾何形狀溝槽之溝槽型電容的製程
南亞科技股份有限公司
案號 0921175402003-06-27IPC H01L21/762
電容結構及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921173732003-06-26IPC H01L21/762
互連結構及其形成方法
摩托羅拉公司
案號 0921174302003-06-26IPC H01L21/768
金屬內連線的製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921173762003-06-26IPC H01L21/768
使導電層與電容之電極形成良好電接觸的方法
茂德科技股份有限公司
案號 0921170802003-06-24IPC H01L21/762
Ⅲ-Ｖ族半導體元件的內連銅導線、銅空氣橋及其製作方法
國立交通大學
案號 0921170872003-06-24IPC H01L21/768
形成瓶形溝槽的方法
茂德科技股份有限公司
案號 0921169382003-06-23IPC H01L21/764
半導體裝置及其製造方法
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921167622003-06-20IPC H01L21/768
避免深渠溝之頂部尺寸擴大的方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921167682003-06-20IPC H01L21/76
半導體裝置之製造方法
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921167592003-06-20IPC H01L21/76
具有埋入式平行電容之ＩＣ載板增層製程
日月光半導體製造股份有限公司
案號 0921166622003-06-19IPC H01L21/762
形成具有圓化邊角之接觸窗口的方法及半導體結構
旺宏電子股份有限公司
案號 0921166302003-06-19IPC H01L21/768