IPC H01L21/76 專利列表
共 492 筆結果
在矽基板上插塞貫通孔之方法
新光電氣工業股份有限公司
案號 0921165672003-06-18IPC H01L21/768
接觸窗開口的製造方法以及半導體元件的製造方法
茂德科技股份有限公司
案號 0921163562003-06-17IPC H01L21/768
可減少角落凹陷之溝渠式隔離元件的形成方法
上海宏力半導體製造有限公司
案號 0921160842003-06-13IPC H01L21/76
可避免產生扭曲效應之淺溝渠隔離元件製程
上海宏力半導體製造有限公司
案號 0921160852003-06-13IPC H01L21/76
具有氧化矽層之半導體元件之製造方法，具有雙間隙壁之半導體元件之製造方法，形成氧化矽層於基底上之方法，以及形成雙間隙壁於導電層上之方法
三星電子股份有限公司
案號 0921160732003-06-13IPC H01L21/76
製作閘極側壁間隙壁之方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921156652003-06-10IPC H01L21/76
形成圓滑溝渠邊角之方法
茂德科技股份有限公司
案號 0921157512003-06-10IPC H01L21/76
半導體裝置之製造方法
ＮＥＣ電子股份有限公司
案號 0921156352003-06-10IPC H01L21/76
製作多種側壁子寬度的方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921155122003-06-09IPC H01L21/76
於半導體晶片上製作接觸洞的方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921156112003-06-09IPC H01L21/76
半導體積體電路裝置及其製造方法
日立製作所股份有限公司
案號 0921155412003-06-09IPC H01L21/76
內連線的測試圖案與方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921154542003-06-06IPC H01L21/768
絕緣層上有矽晶片之鰭狀元件
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921152972003-06-05IPC H01L21/76
提供具有高通道密度之半導體裝置之低成本方法
半導體組件工業公司
案號 0921152292003-06-05IPC H01L21/76
鑲嵌式金屬化構件及其製作方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921150152003-06-03IPC H01L21/768
淺溝渠隔離結構之製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921150182003-06-03IPC H01L21/76
絕緣體上半導體晶片及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921149502003-06-02IPC H01L21/76
半導體製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921149492003-06-02IPC H01L21/768
於半導體元件之製造中縮小間距的方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921148842003-06-02IPC H01L21/76
隔離具有部分垂直通道記憶單元之主動區的方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921148812003-06-02IPC H01L21/76