IPC H01L21/76 專利列表
共 492 筆結果
位元線接觸窗及其製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921082232003-04-10IPC H01L21/768
防止深渠溝之頂部尺寸擴大的領型介電層製程
南亞科技股份有限公司
案號 0921082222003-04-10IPC H01L21/762
低電阻金屬薄膜之製造方法
億恆科技股份公司
案號 0921081742003-04-09IPC H01L21/768
形成瓶型溝槽的方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921080942003-04-09IPC H01L21/76
降低溝槽深寬比的方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921079852003-04-08IPC H01L21/76
半導體裝置
三菱電機股份有限公司
案號 0921079812003-04-08IPC H01L21/768
形成具有截角化邊角之淺溝槽隔離區的方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921078762003-04-07IPC H01L21/76
位元線接觸窗的填充方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921078782003-04-07IPC H01L21/768
改良垂直通道中離子摻雜濃度的方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921078752003-04-07IPC H01L21/76
適用於半導體裝置之配線構造之製造方法
三菱電機股份有限公司
案號 0921076982003-04-04IPC H01L21/768
一種保護淺溝邊角之淺溝隔離方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921078222003-04-04IPC H01L21/76
降低薄膜電晶體基板表面漏電流的方法
友達光電股份有限公司
案號 0921078132003-04-04IPC H01L21/76
半導體裝置之製造方法及電子機器
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921077282003-04-04IPC H01L21/768
半導體裝置及其製造方法
夏普股份有限公司
案號 0921076562003-04-03IPC H01L21/76
增加溝槽電容器之電容的方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921074722003-04-02IPC H01L21/762
改善阻障層之覆蓋均勻性的方法及具有上述阻障層之內連線
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921074712003-04-02IPC H01L21/768
半導體元件接觸製程及結構
茂達電子股份有限公司
案號 0921074572003-04-01IPC H01L21/768
電子式熔線元件之結構
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921074382003-04-01IPC H01L21/768
晶圓之水分去除裝置及方法
弘塑科技股份有限公司
案號 0921074222003-04-01IPC H01L21/768
金氧半導體電晶體的製造方法
應用材料股份有限公司
案號 0921073092003-03-31IPC H01L21/762