IPC H01L21/76 專利列表
共 492 筆結果
降低溝槽深寬比的方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921070522003-03-28IPC H01L21/76
微管元件之製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921071962003-03-28IPC H01L21/76
ＤＭＯＳ之終止結構
台灣茂矽電子股份有限公司
案號 0921071702003-03-28IPC H01L21/76
製造半導體裝置之方法
東芝股份有限公司
案號 0921070982003-03-28IPC H01L21/768
位元線的形成方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921066042003-03-25IPC H01L21/768
使用雙重金屬鑲嵌技術之半導體裝置製造方法
ＮＥＣ電子股份有限公司
案號 0921067292003-03-25IPC H01L21/768
凸塊製程
日月光半導體製造股份有限公司
案號 0921066782003-03-25IPC H01L21/768
形成金屬插塞的方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921066022003-03-25IPC H01L21/768
積體電路製程中之側壁保護
茂德科技股份有限公司
案號 0921065352003-03-24IPC H01L21/762
運用淺溝隔離製程來製造半導體元件之方法
ＮＥＣ電子股份有限公司
案號 0921064872003-03-24IPC H01L21/76
半導體裝置之製造方法及半導體裝置
新力股份有限公司
案號 0921063392003-03-21IPC H01L21/768
一種金屬雙鑲嵌的形成方法
華邦電子股份有限公司
案號 0921063942003-03-21IPC H01L21/768
局部空乏載矽絕緣體型金氧場效電晶體遲滯控制之源極側疊置缺陷主體連結之方法
高級微裝置公司
案號 0921062702003-03-21IPC H01L21/76
金屬內連線結構及其製造方法以及半導體裝置
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921061382003-03-20IPC H01L21/768
半導體裝置之製造方法
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921062522003-03-20IPC H01L21/768
加強型接合墊次結構及其製造方法
三星電子股份有限公司
案號 0921061672003-03-20IPC H01L21/76
晶圓凸塊製程
日月光半導體製造股份有限公司
案號 0921061302003-03-20IPC H01L21/768
整合對準標記與溝槽元件之製程
南亞科技股份有限公司
案號 0921060682003-03-19IPC H01L21/76
半導體結構及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921061082003-03-19IPC H01L21/768
半導體裝置及提供低基板電容區域之方法
半導體組件工業公司
案號 0921060472003-03-19IPC H01L21/762