IPC H01L21/76 專利列表
共 492 筆結果
貫通隧道連接裝置中覆蓋層之隧道障壁層的紫外線處理技術
惠普研發公司
案號 0921120322003-05-01IPC H01L21/76
半導體裝置
三菱電機股份有限公司
案號 0921120272003-05-01IPC H01L21/76
位元線的形成方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921101322003-04-30IPC H01L21/768
閘極接觸窗的形成方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921101352003-04-30IPC H01L21/768
形成貫通基板之互連的方法
惠普研發公司
案號 0921098992003-04-28IPC H01L21/768
半導體裝置及其製造方法
富士通半導體股份有限公司
案號 0921097872003-04-25IPC H01L21/768
用於改良可靠性之銅矽化物鈍化
安華高科技通用ＩＰ（新加坡）公司
案號 0921097322003-04-25IPC H01L21/768
滴式產生器之晶粒處理技術
惠普研發公司
案號 0921097802003-04-25IPC H01L21/76
半導體晶片ＰＮ接面的玻璃披覆形狀之製程
強茂股份有限公司
案號 0921100612003-04-24IPC H01L21/761
於雷射製程中保護介電層之積體電路結構
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921095212003-04-23IPC H01L21/76
填補凹槽的方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921094142003-04-22IPC H01L21/76
用於非揮發性記憶體之氧│氮│氧介電層製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921091082003-04-18IPC H01L21/76
製造具有一低電容率區域之一半導體裝置之方法
半導體組件工業公司
案號 0921088122003-04-16IPC H01L21/764
具有溝槽頂端絕緣層之半導體裝置及其形成方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921086262003-04-15IPC H01L21/76
減少埋層接觸帶外擴散之半導體結構、其製造方法以及半導體記憶體裝置的形成方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921086342003-04-15IPC H01L21/76
位元線接觸窗的填充方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921086272003-04-15IPC H01L21/768
處理多孔電介質膜以減少清潔期間之損壞的方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921085632003-04-14IPC H01L21/762
淺溝渠隔絕層的製作方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921085052003-04-14IPC H01L21/76
利用雙重金屬鑲嵌製程之圖案形成方法
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921084912003-04-11IPC H01L21/768
淺溝渠隔離區的製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921083332003-04-11IPC H01L21/76