IPC H01L21/82 專利列表
共 425 筆結果
共位元／共源線高密度-電晶體-電阻Ｒ-隨機存取記憶體陣列
夏普股份有限公司
案號 0921211432003-08-01IPC H01L21/8239
用浮置閘極退後製程以增進快閃記憶體中資料保持之方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921212182003-08-01IPC H01L21/8247
半導體組件層結構方法及半導體記憶體
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921212392003-08-01IPC H01L21/8247
ＳＯＮＯＳ記憶體胞元之製造方法、ＳＯＮＯＳ記憶體胞元及記憶體胞元場
億恆科技股份公司
案號 0921210712003-07-31IPC H01L21/8246
具溝渠排列記憶電晶體之記憶體胞元場製造方法
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921210672003-07-31IPC H01L21/8247
奈米晶體電子元件
艾特梅爾公司
案號 0921207812003-07-30IPC H01L21/8247
浮置閘記憶體結構及其製造方法
台灣茂矽電子股份有限公司
案號 0921205692003-07-28IPC H01L21/82
於矽絕緣基板上形成可程式唯讀記憶單元的方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921203392003-07-25IPC H01L21/8247
具二極體記憶胞光罩式唯讀記憶體之製作方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921203632003-07-25IPC H01L21/8246
製造具有垂直裝置單元之圖樣化絕緣體上矽嵌入動態隨機存取記憶體之結構及方法
萬國商業機器公司
案號 0921204192003-07-25IPC H01L21/8242
溝渠式電容器之製造方法
茂德科技股份有限公司
案號 0921200522003-07-23IPC H01L21/8242
使用無定形碳取代閘極以製造ＭＯＳＦＥＴＳ之方法以及依此方法形成之結構
高級微裝置公司
案號 0921199152003-07-22IPC H01L21/8234
製造場效應電晶體之刻痕閘極結構的方法
應用材料股份有限公司
案號 0921200202003-07-22IPC H01L21/8232
影像感測器及影像感測器模組
日商富士通半導體股份有限公司
案號 0921199512003-07-22IPC H01L21/8238
非揮發性半導體記憶元件及製造方法
旭硝子股份有限公司
案號 0921200032003-07-22IPC H01L21/8247
非揮發性半導體記憶裝置之製造方法及非揮發性半導體記憶裝置
東芝股份有限公司
案號 0921198362003-07-21IPC H01L21/8247
Ｐ型ＧaAs基板ＺnＳe系pin光電二極體及p型ＧaＡs基板ＺnＳe系雪崩光電二極體
住友電氣工業股份有限公司
案號 0921196962003-07-18IPC H01L21/8238
快閃記憶體裝置之製造方法
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921195172003-07-17IPC H01L21/8247
快閃記憶體的製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921194912003-07-17IPC H01L21/8247
快閃記憶體的製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921194902003-07-17IPC H01L21/8247