IPC H01L21/82 專利列表
共 425 筆結果
半導體裝置及其製造方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921194042003-07-16IPC H01L21/8229
ＮＡＮＤ型雙位元氮化物唯讀記憶體及製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921190862003-07-11IPC H01L21/8246
影像感測晶片封裝製程
家程科技股份有限公司
案號 0921189332003-07-11IPC H01L21/8238
於一快閃記憶體裝置中形成一浮動閘極之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921188502003-07-10IPC H01L21/8247
分離閘極快閃記憶胞及其製造方法
力晶半導體股份有限公司
案號 0921188322003-07-10IPC H01L21/8247
具閘極間隙壁之金氧半元件及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921186802003-07-09IPC H01L21/8228
製造一快閃記憶體裝置之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921187112003-07-09IPC H01L21/8247
半導體記憶元件及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921186782003-07-09IPC H01L21/8239
製造非揮性記憶體裝置之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921186022003-07-08IPC H01L21/8247
具有選擇電晶體結構與ＳＯＮＯＳ記憶胞結構之非揮發性記憶體元件以及製造此元件的方法
三星電子股份有限公司
案號 0921185692003-07-08IPC H01L21/8239
多位元底切型記憶單元及其製造方法
應用智慧股份有限公司
案號 0921184352003-07-07IPC H01L21/8247
形成動態隨機存取記憶體胞位元線接觸之方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921181922003-07-03IPC H01L21/8244
具有垂直型電晶體與溝槽電容器之記憶體裝置及其製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921181662003-07-03IPC H01L21/8239
改善１Ｔ ＳＲＡＭ製程上電極層因應力導致縫隙產生之方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921182452003-07-03IPC H01L21/8244
金氧半元件結構及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921180352003-07-02IPC H01L21/8238
於反及型快閃記憶體裝置中形成選擇線之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921179712003-07-01IPC H01L21/8247
製造半導體裝置之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921178142003-06-30IPC H01L21/8232
半導體記憶裝置及其製造方法
史班遜股份有限公司
案號 0921179132003-06-30IPC H01L21/8229
記憶體製造方法
徐松睦
案號 0921178592003-06-30IPC H01L21/8247
形成鐵電隨機存取記憶體之電容之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921178272003-06-30IPC H01L21/8239