IPC H01L21/82 專利列表
共 425 筆結果
形成ＰＮ接面的方法及單次可程式唯讀記憶體之結構與製程
旺宏電子股份有限公司
案號 0921233832003-08-26IPC H01L21/82
自動對準式非揮發性記憶體單元之製造方法
艾特梅爾公司
案號 0921232632003-08-25IPC H01L21/8247
奈米碳管電晶體之製造方法
財團法人工業技術研究院
案號 0921228532003-08-20IPC H01L21/8232
整合快閃記憶體與高電壓元件之製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921229252003-08-20IPC H01L21/8247
掃瞄器感光元件之對位結構及其製作方法
菱光科技股份有限公司
案號 0921227982003-08-19IPC H01L21/8238
部分垂直記憶單元的雙邊角圓化製程
南亞科技股份有限公司
案號 0921227192003-08-19IPC H01L21/8242
半導體裝置及其製造方法
日立製作所股份有限公司
案號 0921227812003-08-19IPC H01L21/82
多位元垂直記憶單元及其製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921226312003-08-18IPC H01L21/8247
深溝渠式電容器與動態隨機存取記憶體的製造方法
茂德科技股份有限公司
案號 0921223382003-08-14IPC H01L21/8244
唯讀記憶體及其製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921223472003-08-14IPC H01L21/8246
具有垂直型電晶體與溝槽電容器之記憶體裝置及其製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921222012003-08-13IPC H01L21/8242
動態隨機存取記憶體之記憶胞區與支援電路區的製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921222032003-08-13IPC H01L21/8242
非揮發性記憶體及其製造方法
長遼控股責任有限公司
案號 0921221812003-08-12IPC H01L21/8239
多位元記憶單元及其製造方法及其操作方法
應用智慧股份有限公司
案號 0921220432003-08-12IPC H01L21/8247
接觸孔形成方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921220902003-08-12IPC H01L21/8242
ＣＭＯＳ應用之堆疊高κ閘極介電質的沉積方法
夏普股份有限公司
案號 0921218972003-08-08IPC H01L21/8238
多位元垂直記憶單元及其製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921217632003-08-08IPC H01L21/8242
ＭＲＡＭ ＭＴＪ堆疊與導線對準方法
億恆科技股份公司
案號 0921219322003-08-08IPC H01L21/8239
具有高介電常數頂端介電質的介電儲存記憶體單元及其方法
北星創新股份有限公司
案號 0921216382003-08-07IPC H01L21/8247
半導體基材上具多數閘堆疊半導體結構之製造方法及半導體結構
億恆科技股份公司
案號 0921215832003-08-06IPC H01L21/8242