IPC H01L21/82 專利列表
共 425 筆結果
溝渠電容動態隨機存取記憶體的製作方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921247572003-09-08IPC H01L21/8242
積體半導體電路之製造方法
億恆科技股份公司
案號 0921247912003-09-08IPC H01L21/8239
用於互補式金氧半導體場效應電晶體之金屬間隙壁閘門
萬國商業機械公司
案號 0921245792003-09-05IPC H01L21/8238
提高快閃記憶體元件中閘極耦合比（ＧＣＲ）的製造方法及結構
聯華電子股份有限公司
案號 0921246032003-09-05IPC H01L21/8247
快閃記憶胞及其製造方法
力晶半導體股份有限公司
案號 0921245592003-09-05IPC H01L21/8247
金屬氧化半導體電晶體的製造方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921244242003-09-04IPC H01L21/8234
半導體裝置及半導體裝置之製造方法
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921244412003-09-04IPC H01L21/82
具高位元密度的非揮發性快閃記憶體及其製造方法
力旺電子股份有限公司
案號 0921243162003-09-03IPC H01L21/8247
具有多重閘極電晶體之靜態隨機存取記憶單元及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921241712003-09-02IPC H01L21/8242
具有側壁閘結構及ＳＯＮＯＳ記憶胞結構之非揮發性記憶元件的製造方法
三星電子股份有限公司
案號 0921240712003-09-01IPC H01L21/8239
具低閘極阻值之功率電晶體結構及其製造方法
富鼎先進電子股份有限公司
案號 0921241392003-09-01IPC H01L21/8232
具有分離式控制閘之雙浮置閘快閃記憶體及其製程
旺宏電子股份有限公司
案號 0921241512003-09-01IPC H01L21/8247
光感式半導體結構及其製法
矽品精密工業股份有限公司
案號 0921240702003-09-01IPC H01L21/8238
具有凹陷閘電極之半導體元件整合方法
三星電子股份有限公司
案號 0921238662003-08-29IPC H01L21/8239
半導體記憶裝置及其製造方法
史班遜股份有限公司
案號 0921240632003-08-29IPC H01L21/8247
自動對準接點之突出間隔物
艾基爾系統股份有限公司
案號 0921237882003-08-28IPC H01L21/82
快閃記憶體胞元及製造分離式側壁氧化之方法
億恆科技股份公司
案號 0921238362003-08-28IPC H01L21/8247
ＣＭＯＳ積體電路中基板與井區間產生低電阻歐姆接觸之方法
億恆科技股份公司
案號 0921238372003-08-28IPC H01L21/8242
電路仿真方法
松下電器產業股份有限公司
案號 0921235762003-08-27IPC H01L21/82
半導體結構及其製造方法
美光科技公司
案號 0921234742003-08-26IPC H01L21/8242