IPC H01L29/772 專利列表
共 69 筆結果
具有平台式隔離之應變通道場效電晶體及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0931021142004-01-30IPC H01L29/772
應變通道鰭片場效應電晶體
高級微裝置公司
案號 0931015152004-01-20IPC H01L29/772
金氧半導體性能增進之閘極感應應變
英特爾股份有限公司
案號 0921362342003-12-19IPC H01L29/772
應變鰭式場效電晶體之ＣＭＯＳ裝置結構
美商格芯（美國）集成電路科技有限公司
案號 0921330402003-11-25IPC H01L29/772
新穎的場效電晶體及其製造方法
英特爾股份有限公司
案號 0921308322003-11-04IPC H01L29/772
縮小化電晶體陣列佈局之方法及結構
立積電子股份有限公司
案號 0921288232003-10-17IPC H01L29/772
製造具應變的多層結構及具有應變層之場效電晶體之方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921285092003-10-15IPC H01L29/772
具有熱防護功能的電晶體結構
華宇電腦股份有限公司
案號 0921286252003-10-15IPC H01L29/772
金屬半導體場效電晶體之單位單元及其製造方法
美商沃孚半導體有限公司
案號 0921264902003-09-25IPC H01L29/772
具有射頻旁通／輸出匹配網路之封裝射頻功率電晶體
克瑞股份有限公司
案號 0921262152003-09-23IPC H01L29/772
具有Ｐ型閘極之Ｎ型通道金氧半導體電晶體的製造方法
茂德科技股份有限公司
案號 0921261452003-09-23IPC H01L29/772
半導體裝置
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921235622003-08-27IPC H01L29/772
具有介電性凹陷式閘極之ＧＡ／ＡＬ異質結構場效電晶體
荷爾實驗室有限公司
案號 0921213012003-08-04IPC H01L29/772
可使用單一金屬層規劃邏輯運算模組的積體電路
智原科技股份有限公司
案號 0921208992003-07-30IPC H01L29/772
可同時具有部分空乏電晶體與完全空乏電晶體之晶片及其製作方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921206232003-07-29IPC H01L29/772
調變摻雜場效電晶體之增強Ｔ閘結構
萬國商業機器公司
案號 0921202452003-07-24IPC H01L29/772
半導體元件
旺宏電子股份有限公司
案號 0921200992003-07-23IPC H01L29/772
具有晶格不相稱區之應變通道電晶體結構及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921193732003-07-16IPC H01L29/772
使用可棄式間隙壁之金氧半場效電晶體的製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921193342003-07-15IPC H01L29/772
場效電晶體及其製造方法
恩智浦美國公司
案號 0921188722003-07-10IPC H01L29/772