IPC H01L29/772 專利列表
共 69 筆結果
利用矽-鍺和矽-碳合金之異質接面場效電晶體
尖端科技材料公司
案號 0921184552003-07-07IPC H01L29/772
複數閘極電晶體之結構及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921180092003-07-01IPC H01L29/772
用於動態臨界電壓控制之多晶矽背閘式絕緣覆矽之金氧半場效電晶體
萬國商業機器公司
案號 0921175882003-06-27IPC H01L29/772
電晶體
武漢華星光電技術有限公司
案號 0921174532003-06-26IPC H01L29/772
高線性度擬晶性高電子遷移率場效電晶體
國立高雄師範大學
案號 0921173462003-06-25IPC H01L29/772
具有重組區域之載矽絕緣體場效電晶體及形成該場效電晶體之方法
高級微裝置公司
案號 0921170612003-06-24IPC H01L29/772
在崩潰模式中利用電流順度裝置之程式電晶體
億恆科技股份公司
案號 0921157732003-06-10IPC H01L29/772
半導體裝置
三菱電機股份有限公司
案號 0921141142003-05-26IPC H01L29/772
半導體裝置之製造方法
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921138552003-05-22IPC H01L29/772
有機場效電晶體
半導體能源研究所股份有限公司
案號 0921136162003-05-20IPC H01L29/772
利用少數載子控制物質之半導體裝置
達爾科技股份有限公司
案號 0921135522003-05-20IPC H01L29/772
以減少遠處散射之閘極氧化製造高性能金屬氧化物半導體電晶體之方法
格羅方德半導體公司
案號 0921134282003-05-19IPC H01L29/772
具有穩定之自啟式供應電源的積體電路驅動裝置
茂力科技股份有限公司
案號 0921133972003-05-16IPC H01L29/772
半導體裝置及其製造方法
東芝股份有限公司
案號 0921126972003-05-09IPC H01L29/772
離子感應場效電晶體及製造方法
友達光電股份有限公司
案號 0921127632003-05-09IPC H01L29/772
具有允許經常主體接觸之幾何結構的ＭＯＳＦＥＴ裝置
通用半導體股份有限公司
案號 0921124582003-05-07IPC H01L29/772
電晶體結構及其製造方法
奧勒岡州立大學
案號 0921124162003-05-07IPC H01L29/772
包含渠溝匯流排結構之ＤＭＯＳ元件
台灣茂矽電子股份有限公司
案號 0921100482003-04-29IPC H01L29/772
設有串聯連接之防熔元件的半導體記憶裝置
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921087622003-04-15IPC H01L29/772
雙溝渠式功率金氧半場效電晶體（ＭＯＳＦＥＴ）裝置及其製造方法
華瑞股份有限公司
案號 0921082782003-04-10IPC H01L29/772