IPC H01L21/02 專利列表
共 380 筆結果
一種具有空氣間隔之積體電路結構及其製作方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921315662003-11-11IPC H01L21/027
使用非尋常接觸形成方法以減少半導體胞體缺陷之方法及系統
賽普拉斯半導體公司
案號 0921313672003-11-10IPC H01L21/027
用以製造液晶顯示裝置之基板接合設備
樂金顯示科技股份有限公司
案號 0921313042003-11-07IPC H01L21/02
基板處理裝置以及在控制基板轉移模組中之污染物的同時處理基板的方法
三星電子股份有限公司
案號 0921308122003-11-04IPC H01L21/02
投影光學系統，曝光裝置及裝置製造方法
佳能股份有限公司
案號 0921308502003-11-04IPC H01L21/027
轉印用光罩基板的製造方法及轉印用光罩基板
ＨＯＹＡ股份有限公司
案號 0921306642003-11-03IPC H01L21/027
曝光方法、曝光裝置以及元件製造方法
尼康股份有限公司
案號 0921303852003-10-31IPC H01L21/027
半導體裝置及半導體裝置的製作方法
半導體能源研究所股份有限公司
案號 0921305432003-10-31IPC H01L21/02
包含雙曝光／雙烘烤之微影方法
台灣茂矽電子股份有限公司
案號 0921303532003-10-30IPC H01L21/027
微細圖案之形成方法
東京應化工業股份有限公司
案號 0921295892003-10-24IPC H01L21/027
全像光罩與其製造方法及半導體製程中運用全像技術之微影方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921292002003-10-21IPC H01L21/027
半導體晶圓及半導體晶圓製造方法
東芝股份有限公司
案號 0921290142003-10-20IPC H01L21/02
光阻劑處理方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921287802003-10-17IPC H01L21/027
用於堆疊電子元件的自我校準接觸
諾斯洛普葛魯門公司
案號 0921286762003-10-16IPC H01L21/027
半導體製造裝置
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921283962003-10-14IPC H01L21/02
微細圖型之形成方法
東京應化工業股份有限公司
案號 0921281872003-10-09IPC H01L21/027
曝光裝置、對準方法及半導體裝置之製造方法
新力股份有限公司
案號 0921281282003-10-09IPC H01L21/027
塗敷機及塗敷方法
爾必達存儲器股份有限公司
案號 0921273962003-10-03IPC H01L21/027
微光學鏡片之製造方法及其結構
國立成功大學
案號 0921272522003-10-02IPC H01L21/02
具有多種矽薄膜厚度之絕緣層上矽晶積體電路元件
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921273442003-10-02IPC H01L21/027