IPC H01L21/02 專利列表
共 380 筆結果
圖案形成材料及圖案形成方法
三星電子股份有限公司
案號 0921271512003-10-01IPC H01L21/027
嵌埋抗蝕劑之方法及半導體裝置之製造方法
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921271712003-10-01IPC H01L21/027
導光板模仁製造方法
鴻海精密工業股份有限公司
案號 0921266222003-09-26IPC H01L21/027
維持微影製程容許度的方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921264512003-09-25IPC H01L21/027
對齊校正量算出裝置
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921263112003-09-24IPC H01L21/02
顯影方法
台灣茂矽電子股份有限公司
案號 0921262642003-09-23IPC H01L21/02
基板處理裝置
東京威力科創股份有限公司
案號 0921262282003-09-23IPC H01L21/02
在晶圓的層中蝕刻具有部件深度之部件的方法
泛林股份有限公司
案號 0921262172003-09-23IPC H01L21/027
基板處理裝置
東京威力科創股份有限公司
案號 0921262222003-09-23IPC H01L21/02
基板處理裝置
東京威力科創股份有限公司
案號 0921262272003-09-23IPC H01L21/02
製造晶片上解耦電容之方法與裝置
英特爾公司
案號 0921258852003-09-19IPC H01L21/02
半導體元件製造方法
霆激科技股份有限公司
案號 0921259532003-09-19IPC H01L21/027
犧牲光阻層的製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921258252003-09-18IPC H01L21/027
遮罩設計時之基體形態補償：錨定的３Ｄ ＯＰＣ形態
艾基爾系統股份有限公司
案號 0921257732003-09-18IPC H01L21/027
半導體裝置之製造方法
佳能股份有限公司
案號 0921256602003-09-17IPC H01L21/027
利用單一導通孔層規劃繞線佈局的方法
智原科技股份有限公司
案號 0921256712003-09-17IPC H01L21/027
自無緩衝層之晶圓形成鬆弛之有用層以及依此而形成之結構
斯歐埃技術公司
案號 0921255442003-09-17IPC H01L21/02
用於在靜電晶圓箝位保留冷卻氣體之電極結構
維瑞安半導體設備公司
案號 0921254512003-09-16IPC H01L21/02
使用一具有一雙抗反射塗佈之光罩製造積體電路之方法
摩托羅拉公司
案號 0921255032003-09-16IPC H01L21/027
平面載台裝置
牛尾電機股份有限公司
案號 0921253922003-09-15IPC H01L21/027