IPC H01L21/20 專利列表
共 229 筆結果
磊晶矽晶圓及其製造方法
信越半導體股份有限公司
案號 0921014992003-01-23IPC H01L21/20
用以製造有機發光裝置之具有多孔之長形熱物理氣相沉積源
柯達公司
案號 0921013662003-01-22IPC H01L21/203
氣動行星式旋轉裝置及形成碳化矽層之方法
美商沃孚半導體有限公司
案號 0921012322003-01-21IPC H01L21/205
使用磁場沉積薄膜之方法
圓益ＩＰＳ股份有限公司
案號 0921009772003-01-17IPC H01L21/205
成膜用處理裝置及處理方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921010072003-01-17IPC H01L21/205
先進線後端互連結構中之雙層高密度電漿化學蒸氣沉積／電漿增進化學蒸氣沉積蓋罩及其方法
萬國商業機器公司
案號 0921005212003-01-10IPC H01L21/205
低介電常數層之製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921003642003-01-08IPC H01L21/205
沈積溫度的檢測方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921003042003-01-08IPC H01L21/205
晶膜生長方法
ＪＸ金屬股份有限公司
案號 0921000442003-01-02IPC H01L21/205
利用氣態凝結並結合磊晶技術製作球形量子點元件的方法
國立台灣大學
案號 0921000132003-01-02IPC H01L21/203
製造３－５族化合物半導體的方法及半導體元件
住友化學工業股份有限公司
案號 0911380842002-12-31IPC H01L21/20
內藏鏡頭之影像偵知器的製造方法
科洛司科技有限公司
案號 0911381272002-12-31IPC H01L21/20
半導體元件中之電容器的製作方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0911379662002-12-31IPC H01L21/20
在晶圓上形成結構
英飛凌科技股份有限公司
案號 0911374862002-12-26IPC H01L21/20
形成半導體裝置的薄膜的方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0911372942002-12-25IPC H01L21/20
具有包含由使用其亦為摻雜源之蝕刻氣體之溝槽蝕刻所形成的摻雜柱之電壓維持區的高壓電力金氧半導體場效電晶體
通用半導體股份有限公司
案號 0911371802002-12-24IPC H01L21/20
沉積室之部件結構
旺宏電子股份有限公司
案號 0911371112002-12-24IPC H01L21/203
具有氮／碳穩定化氧析出物成核中心之理想氧析出矽晶圓及其製造方法
ＭＥＭＣ電子材料公司
案號 0911370132002-12-23IPC H01L21/20
製造電子裝置之方法及電子裝置
恩智浦股份有限公司
案號 0911365102002-12-18IPC H01L21/20
基板處理方法及基板處理裝置
大見忠弘
案號 0911361132002-12-13IPC H01L21/20