IPC H01L21/20 專利列表
共 229 筆結果
氣化器與使用該氣化器之各種裝置、以及氣化方法
渡邊商行股份有限公司
案號 0921058762003-03-18IPC H01L21/205
氧化矽薄膜的製造方法
統寶光電股份有限公司
案號 0921056082003-03-14IPC H01L21/20
高Ｋ介電薄層及其形成方法
恩智浦美國公司
案號 0921056142003-03-14IPC H01L21/205
形成不同厚度氮化層之方法
茂德科技股份有限公司
案號 0921054532003-03-13IPC H01L21/205
用於半導體製程裝置之低污染元件及製造該元件之方法
藍姆研究公司
案號 0921046752003-03-05IPC H01L21/20
薄膜形成方法
羅姆股份有限公司
案號 0921045012003-03-04IPC H01L21/20
冷卻裝置及使用該冷卻裝置之熱處理裝置
東京威力科創股份有限公司
案號 0921042922003-02-27IPC H01L21/20
障蔽層及沈積障蔽層之方法
特麗康科技有限公司
案號 0921039452003-02-25IPC H01L21/203
磷化硼系半導體層之氣相成長方法
昭和電工股份有限公司
案號 0921036782003-02-21IPC H01L21/205
適於使用在長波垂直空腔表面發射隧道接合面之碳摻雜GaAsSb
斐尼莎公司
案號 0921036502003-02-21IPC H01L21/205
具有改良之轉換功能的沈積阻板及在半導體處理中利用此沈積阻板點燃高密度電漿
東京威力科創股份有限公司
案號 0921035942003-02-20IPC H01L21/203
第Ⅲ族氮化物半導體結晶、其製造方法、第Ⅲ族氮化物半導體磊晶晶圓
豐田合成股份有限公司
案號 0921030312003-02-14IPC H01L21/205
結構，製造此結構之方法，及使用此結構之裝置
佳能股份有限公司
案號 0921027732003-02-11IPC H01L21/203
半導體基板及場效型電晶體以及此等之製造方法
三菱住友矽晶股份有限公司
案號 0921024122003-02-06IPC H01L21/20
由超高真空化學氣相沉積製造之應變矽型層及其中之裝置
萬國商業機器公司
案號 0921023862003-02-06IPC H01L21/205
蓮蓬頭式氣體供應器及具有蓮蓬頭式氣體供應器之半導體裝置製造設備
周星工程股份有限公司
案號 0921023382003-01-29IPC H01L21/205
製造半導體基底之方法
夏普股份有限公司
案號 0921018462003-01-28IPC H01L21/20
半導體裝置及其製造方法
半導體能源研究所股份有限公司
案號 0921017212003-01-27IPC H01L21/20
用於半導體處理室之物件以及製造該物件的方法
應用材料股份有限公司
案號 0921017452003-01-27IPC H01L21/205
３－５族化合物半導體，製造彼之方法，及使用彼之化合物半導體元件
住友化學工業股份有限公司
案號 0921017262003-01-27IPC H01L21/205