IPC H01L21/20 專利列表
共 229 筆結果
膜形成裝置和膜形成方法和清潔方法
半導體能源研究所股份有限公司
案號 0911360042002-12-12IPC H01L21/20
在非Ⅲ-Ⅴ族基板上沉積Ⅲ-Ⅴ族半導體薄膜之方法
愛斯特隆公司
案號 0911359792002-12-12IPC H01L21/205
諸如鍺矽碳化物波導之波導及其製作方法
應用材料股份有限公司
案號 0911358882002-12-11IPC H01L21/205
半球型矽晶粒之製造方法
聯華電子股份有限公司
案號 0911351682002-12-04IPC H01L21/20
在晶圓上沈積薄膜之裝置
圓益ＩＰＳ股份有限公司
案號 0911352312002-12-04IPC H01L21/20
沈積在一處理室側壁上之一層之厚度監視配置
億恆科技ＳＣ３００公司
案號 0911351492002-12-04IPC H01L21/20
氣體分佈噴頭
應用材料股份有限公司
案號 0911351072002-12-03IPC H01L21/20
導線鑄模之置換沉積方法
逢甲大學
案號 0911349942002-12-03IPC H01L21/208
二氧化矽膜的生成方法
ＫＳＴ世界股份有限公司
案號 0911348262002-11-29IPC H01L21/20
半導體基板之製造方法及場效型電晶體之製造方法
三菱住友矽晶股份有限公司
案號 0911348162002-11-29IPC H01L21/20
利用四氟化碳電漿預處理改善高介電材料特性之製程
國立交通大學
案號 0911347602002-11-28IPC H01L21/205
形成含矽薄膜之方法與設備
應用材料股份有限公司
案號 0911345292002-11-27IPC H01L21/205
冷凝閘裝置
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0911345332002-11-27IPC H01L21/205
在基板上形成氮化矽層的方法
應用材料股份有限公司
案號 0911345322002-11-27IPC H01L21/20
改善非晶矽薄膜基板之製程方法
財團法人工業技術研究院
案號 0911341492002-11-25IPC H01L21/205
形成導電層之方法，由該方法形成之導電層，及含有該層之材料
柯尼卡股份有限公司
案號 0911341992002-11-25IPC H01L21/205
以氧氣補充之操作製程
應用材料股份有限公司
案號 0911341292002-11-22IPC H01L21/205
半導體裝置及其製程
夏普股份有限公司
案號 0911340962002-11-22IPC H01L21/205
製造具塗層之製程處理室組件之方法
應用材料股份有限公司
案號 0911341282002-11-22IPC H01L21/203
半導體薄膜及形成其之方法，以及半導體裝置與使用該半導體薄膜之顯示裝置
夏普股份有限公司
案號 0911337202002-11-19IPC H01L21/20