IPC H01L21/20 專利列表
共 229 筆結果
用於快閃記憶晶胞的ＯＮＯ內複晶介電質以及使用一單晶圓低溫沈積製程來製作此介電質之方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0911333422002-11-14IPC H01L21/20
製造半導體裝置之方法
富士通半導體股份有限公司
案號 0911333032002-11-13IPC H01L21/205
發熱體化學氣相沉積（ＣＶＤ）裝置及使用該裝置之發熱體化學氣相沉積方法
安內華股份有限公司
案號 0911332892002-11-13IPC H01L21/205
用於高Ｋ閘氧化物上鐵電薄膜的有機金屬化學汽相沈積之種子層製法
夏普股份有限公司
案號 0911329352002-11-08IPC H01L21/205
半導體裝置之製造方法
三菱電機股份有限公司
案號 0911325862002-11-05IPC H01L21/205
半導體裝置及其製法
佳能販賣股份有限公司
案號 0911325882002-11-05IPC H01L21/205
用於物理氣相沉積之金屬化銦錫氧化物靶
財團法人金屬工業研究發展中心
案號 0911326372002-11-01IPC H01L21/203
藉由磁化板電漿源中之化學氣相沉積於金屬基板上形成氮化鈦薄膜
亨利Ｊ 瑞摩斯
案號 0911320022002-10-28IPC H01L21/205
ＧａＮ單結晶基板及其製造方法
住友電氣工業股份有限公司
案號 0931034851998-10-30IPC H01L21/205