IPC H01L21/20 專利列表
共 229 筆結果
薄膜形成裝置之洗淨方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0931079672004-03-24IPC H01L21/205
光電裝置及其製造方法以及顯示裝置
精工愛普生股份有限公司
案號 0931079732004-03-24IPC H01L21/20
真空容室組件
ＣＹＧ技術研究所股份有限公司
案號 0931079052004-03-24IPC H01L21/203
半導體結晶成長方法及其積層構造與半導體元件
獨立行政法人科學技術振興機構
案號 0931072112004-03-18IPC H01L21/205
半導體裝置之製造方法、積體電路、光電裝置及電子機器
三星電子股份有限公司
案號 0931073362004-03-18IPC H01L21/20
校正黃光製程的方法以及疊合記號的形成方法
茂德科技股份有限公司
案號 0931070512004-03-17IPC H01L21/203
防止真空計腐蝕的真空製程設備與方法
矽統半導體股份有限公司
案號 0931067622004-03-12IPC H01L21/203
磊晶半導體沈積方法及其結構
荷蘭商ＡＳＭ ＩＰ控股公司
案號 0931066182004-03-12IPC H01L21/20
在基板表面上形成金屬氧化物之成膜方法
安內華股份有限公司
案號 0931060692004-03-08IPC H01L21/20
金屬線間之溝填方法
聯華電子股份有限公司
案號 0931059822004-03-05IPC H01L21/205
用於奈米電子元件之具有改良機械與電子性質的調整／複合化學氣相沉積低Ｋ（介電常數）膜
應用材料股份有限公司
案號 0931056102004-03-03IPC H01L21/205
為多層晶圓之環之預防性處理方法
斯歐埃技術公司
案號 0931054592004-03-03IPC H01L21/20
藉由ＵＶ曝光而提昇緻密及多孔有機矽酸鹽材料之機械性質的方法
慧盛材料美國責任有限公司
案號 0931053312004-03-01IPC H01L21/205
介電障壁膜
戴馬瑞 理查 爾尼特
案號 0931052042004-02-27IPC H01L21/20
超低Ｋ值（ＵＬＫ）ＳｉＣＯＨ薄膜及製法
英屬開曼群島商格芯公司
案號 0931051732004-02-27IPC H01L21/205
於基板上製作具有圖案之透明導電膜之方法
國立成功大學
案號 0931046492004-02-24IPC H01L21/203
用於處理以連續橫向固化技術結晶之複數個半導體薄膜的系統及製程
紐約市哥倫比亞大學理事會
案號 0931041512004-02-19IPC H01L21/20
半導體記憶元件，顯示元件及可攜式電子裝置
夏普股份有限公司
案號 0931033342004-02-12IPC H01L21/20
利用選擇性磊晶成長製作一電晶體的方法
聯華電子股份有限公司
案號 0931032362004-02-11IPC H01L21/20
三甲基銦的填充方法及填充容器
東曹精細化學股份有限公司
案號 0931030762004-02-10IPC H01L21/205