IPC H01L21/26 專利列表
共 72 筆結果
蝕刻中止層之重作方法
友達光電股份有限公司
案號 0921200242003-07-22IPC H01L21/263
結晶化裝置、結晶化方法、薄膜電晶體及顯示器裝置
液晶先端技術開發中心股份有限公司
案號 0921197622003-07-18IPC H01L21/26
用以轉移電氣主動薄膜之方法
原子能委員會
案號 0921195252003-07-17IPC H01L21/265
製造一半導體裝置之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921191522003-07-14IPC H01L21/265
金屬矽化物與其製造方法與半導體元件的製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921188252003-07-10IPC H01L21/265
用於離子束植入機之可調整植入角之工件支撐結構
艾克塞利斯科技公司
案號 0921186902003-07-09IPC H01L21/265
依序橫向凝固所用之遮罩及使用其之結晶方法
ＬＧ顯示器股份有限公司
案號 0921174152003-06-26IPC H01L21/268
半導體裝置及其製造方法
悠美瑟日本股份有限公司
案號 0921172212003-06-25IPC H01L21/265
半導體裝置及其製造方法
夏普股份有限公司
案號 0921168582003-06-20IPC H01L21/265
掩模及其製造方法、以及半導體裝置之製造方法
新力股份有限公司
案號 0921163902003-06-17IPC H01L21/265
一種利用雷射結晶製程來製作薄膜電晶體的方法
統寶光電股份有限公司
案號 0921160132003-06-12IPC H01L21/268
執行免散射至鄰近區域之深植入方法
億恆科技股份公司
案號 0921153082003-06-05IPC H01L21/265
回復介電層之表面特性的方法及凸塊重繞線製程
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921146902003-05-30IPC H01L21/265
半導體薄膜的結晶化方法
夏普股份有限公司
案號 0921132022003-05-15IPC H01L21/268
用於以雷射光束使半導體結晶化之方法及裝置
夏普股份有限公司
案號 0921131022003-05-14IPC H01L21/263
將非晶矽轉換為多晶矽之方法
友達光電股份有限公司
案號 0921128042003-05-12IPC H01L21/26
製造嵌入式元件的方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921122142003-05-05IPC H01L21/26
半導體基板之製造方法
夏普股份有限公司
案號 0921121452003-05-02IPC H01L21/265
一種利用準分子電射再結晶製程來製作多晶矽薄膜的方法
香港商華星光電國際（香港）有限公司
案號 0921120792003-05-02IPC H01L21/268
一種利用準分子雷射再結晶製程來製作多晶矽薄膜的方法
香港商華星光電國際（香港）有限公司
案號 0921120772003-05-02IPC H01L21/26