IPC H01L21/26 專利列表
共 72 筆結果
雷射退火之製程光罩以及利用雷射退火形成多晶系膜層的方法
統寶光電股份有限公司
案號 0931060192004-03-08IPC H01L21/268
連體（ＢＯＤＹ-ＴＩＥＤ）絕緣體上半導體（ＳＯＩ）電晶體及其製造方法
格羅方德半導體公司
案號 0931056592004-03-04IPC H01L21/265
在一絕緣體上製造一應變的結晶層的方法、用於該方法的半導體結構及所製造的半導體結構
Ｓ Ｏ Ｉ ＴＥＣ 絕緣層上矽科技公司
案號 0931014012004-01-19IPC H01L21/263
製作半導體元件接面區域之方法
聯華電子股份有限公司
案號 0931012742004-01-16IPC H01L21/265
半導體裝置及其製造方法
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921355422003-12-16IPC H01L21/265
半導體裝置之製造方法
東芝股份有限公司
案號 0921355662003-12-16IPC H01L21/266
電漿摻雜方法
松下電器產業股份有限公司
案號 0921335632003-11-28IPC H01L21/265
在基板上製作薄膜方法
聯合晶圓公司
案號 0921322022003-11-18IPC H01L21/266
光照射裝置及光照射方法
新力股份有限公司
案號 0921309482003-11-05IPC H01L21/268
精確控制離子佈值濃度之方法及同步控制壓力補償因子之方法
茂德科技股份有限公司
案號 0921307622003-11-04IPC H01L21/265
經二次植入而於基板中形成脆弱區域之方法
原子能委員會
案號 0921306312003-11-03IPC H01L21/265
照射雷射的方法，雷射照射系統，和半導體器件的製造方法
半導體能源研究所股份有限公司
案號 0921277012003-10-06IPC H01L21/268
製造半導體元件之方法
富士通半導體股份有限公司
案號 0921273022003-10-02IPC H01L21/266
高能量粒子轟擊製程的遮蔽裝置
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921272382003-10-01IPC H01L21/266
離子佈植裝置
行政院原子能委員會核能研究所
案號 0921270862003-09-30IPC H01L21/265
測量離子束角度之方法
維瑞安半導體設備公司
案號 0921254502003-09-16IPC H01L21/265
改善高壓元件結構的製造方法
上海宏力半導體製造有限公司
案號 0921251532003-09-12IPC H01L21/265
利用逆向離子植入方式形成高壓互補式金氧半導體之方法
上海宏力半導體製造有限公司
案號 0921251492003-09-12IPC H01L21/265
形成高密度非揮發性記憶體編碼的方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921232582003-08-25IPC H01L21/265
使用射極多晶矽蝕刻光罩進行接觸佈植之ＢＩＣＭＯＳ製程
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921211842003-08-01IPC H01L21/265