IPC H01L21/28 專利列表
共 138 筆結果
形成單側導體層及具有單側導體層之半導體元件的方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921349322003-12-10IPC H01L21/283
半導體記憶體元件及其製造方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921346842003-12-09IPC H01L21/28
在溝槽中均勻填入光阻層的方法及形成具有均勻一致之溝槽電容之下電極的方法
茂德科技股份有限公司
案號 0921345342003-12-08IPC H01L21/28
非揮發性記憶體之製作與方法
中原大學
案號 0921341012003-12-03IPC H01L21/28
閘極結構以及場效電晶體的製造方法
尚達積體電路股份有限公司
案號 0921337952003-12-02IPC H01L21/28
矽化金屬製造的方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921334442003-11-27IPC H01L21/28
製造薄膜型式低漏高Ｋ材質之方法
億恆科技股份公司
案號 0921332532003-11-26IPC H01L21/283
高壓金氧半導體電晶體之製作方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921328152003-11-21IPC H01L21/283
形成位元線接觸窗之方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921325102003-11-20IPC H01L21/28
半導體裝置之布局檢查方法
松下電器產業股份有限公司
案號 0921325362003-11-20IPC H01L21/28
接觸窗的製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921321072003-11-17IPC H01L21/28
金屬層側面移除部分之閘極結構之製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921313522003-11-10IPC H01L21/28
形成閘極結構的方法
上海宏力半導體製造有限公司
案號 0921307812003-11-04IPC H01L21/28
為改善半導體裝置中之閘極關鍵尺寸而磨平閘極材料之方法
高級微裝置公司
案號 0921306132003-11-03IPC H01L21/28
奈米點浮置閘極之製造方法、奈米點記憶體及其製造方法
國立中山大學
案號 0921306742003-11-03IPC H01L21/28
半導體元件的閘極結構之製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921305742003-10-31IPC H01L21/28
半導體組件及其製造方法
高級微裝置公司
案號 0921301922003-10-30IPC H01L21/28
形成自動對準選擇性蝕刻雙凹部高電子移動率電晶體之方法
雷森公司
案號 0921290312003-10-20IPC H01L21/28
使電晶體閘極凹陷以得到大自我對準接觸窗開口以及其製造方法
三星電子股份有限公司
案號 0921288342003-10-17IPC H01L21/28
具有Ｕ字形閘極結構之半導體裝置
格羅方德半導體公司
案號 0921287972003-10-17IPC H01L21/28