IPC H01L21/28 專利列表
共 138 筆結果
用於分子記憶體及邏輯裝置之訂製電極
惠普研發公司
案號 0931085092004-03-29IPC H01L21/28
用於半導體裝置之改良的閘電極
恩智浦股份有限公司
案號 0931081312004-03-25IPC H01L21/28
半導體裝置的絕緣膜之形成方法
堀場製作所股份有限公司
案號 0931074662004-03-19IPC H01L21/283
鎢膜之形成方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0931060612004-03-08IPC H01L21/285
製造高電壓雙閘極裝置之方法
美格納半導體有限公司
案號 0931051712004-02-27IPC H01L21/28
用以製造雙金屬閘極裝置之方法
恩智浦美國公司
案號 0931049232004-02-26IPC H01L21/28
一種金屬閘極結構
南亞科技股份有限公司
案號 0931041422004-02-19IPC H01L21/28
具自動排列源極及井區域之碳化矽功率裝置及其製法
美商沃孚半導體有限公司
案號 0931037822004-02-17IPC H01L21/28
半導體結構之製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0931038292004-02-17IPC H01L21/283
增加通道載子流動性的結構及方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0931032842004-02-12IPC H01L21/28
具有單邊局部凹陷閘極之字元線結構及其形成方法
南亞科技股份有限公司
案號 0931019462004-01-29IPC H01L21/28
一種毗連接觸元件結構及其製法
力晶半導體股份有限公司
案號 0931015772004-01-20IPC H01L21/283
電解研磨裝置及研磨方法
新力股份有限公司
案號 0931011702004-01-16IPC H01L21/288
液滴吐出裝置及印刷裝置
精工愛普生股份有限公司
案號 0931004642004-01-08IPC H01L21/288
具有閘電極為多晶矽金屬閘結構且側壁於氨氣中氮化之半導體元件
爾必達存儲器股份有限公司
案號 0921374292003-12-30IPC H01L21/28
薄膜電晶體陣列基板的製造方法
友達光電股份有限公司
案號 0921368072003-12-25IPC H01L21/28
用於半導體元件的閘電極製造方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921363882003-12-22IPC H01L21/28
於半導體裝置中形成閘極氧化物之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921353842003-12-15IPC H01L21/283
可有效減少或避免因封裝打線而造成半導體元件破裂之結構
旺宏電子股份有限公司
案號 0921350872003-12-11IPC H01L21/28
形成單側導體層及具有單側導體層之半導體元件的方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921349322003-12-10IPC H01L21/283