IPC H01L21/28 專利列表
共 138 筆結果
金屬閘極的製作方法
財團法人國家實驗研究院
案號 0921286642003-10-16IPC H01L21/28
源極／汲極區的製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921286592003-10-16IPC H01L21/28
形成金屬矽化物的方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921283772003-10-14IPC H01L21/28
製造半導體裝置的方法及於積體電路製作時抑制硼離子滲透至閘極氧化層的方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921282622003-10-13IPC H01L21/28
製作閘極之方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921279972003-10-08IPC H01L21/28
堆疊式閘極結構及具有該堆疊式閘極結構的場效電晶體之製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921277122003-10-06IPC H01L21/28
接觸窗開口的製造方法
茂德科技股份有限公司
案號 0921272662003-10-02IPC H01L21/28
減少功率元件閘極端面積之結構及方法
富鼎先進電子股份有限公司
案號 0921265512003-09-25IPC H01L21/28
接觸窗開口的製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921257052003-09-18IPC H01L21/28
半導體元件以及其製造方法
史班遜股份有限公司
案號 0921255142003-09-16IPC H01L21/28
堆疊式電容器之下電極的製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921248382003-09-09IPC H01L21/28
利用高密度電漿化學氣相沈積法充填間隙的方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921248402003-09-09IPC H01L21/28
互連、互連成形方法、薄膜電晶體及顯示裝置
液晶先端技術開發中心股份有限公司
案號 0921247932003-09-08IPC H01L21/28
閘極的製造方法以及接觸窗開口的製造方法
茂德科技股份有限公司
案號 0921244262003-09-04IPC H01L21/28
處理裝置及處理方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921231962003-08-22IPC H01L21/285
形成接點之方法及裝置
英特爾公司
案號 0921227492003-08-19IPC H01L21/28
半導體元件的製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921220602003-08-12IPC H01L21/28
鑲嵌式閘極製程
南亞科技股份有限公司
案號 0921217652003-08-08IPC H01L21/28
半導體裝置閘極線尺寸之減少方法
高級微裝置公司
案號 0921209452003-07-31IPC H01L21/28
閘極結構及包含此結構之金氧半電晶體結構及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921206242003-07-29IPC H01L21/28