IPC H01L21/3065 專利列表
共 120 筆結果
蝕刻金屬堆疊中之鋁金屬層前、先蝕刻一含鈦金屬層之方法
台灣茂矽電子股份有限公司
案號 0921218822003-08-08IPC H01L21/3065
具有雙重頻率偏壓源與單頻率電漿產生源之蝕刻處理室
應用材料股份有限公司
案號 0921219242003-08-08IPC H01L21/3065
蝕刻法中用於硬化光阻之方法與組合物
泛林股份有限公司
案號 0921216952003-08-07IPC H01L21/3065
蝕刻方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921213002003-08-04IPC H01L21/3065
供電的法拉第屏蔽之電壓調整方法
蘭姆研究公司
案號 0921208732003-07-30IPC H01L21/3065
用於乾蝕刻反應室之壓力計感應器的緩衝器
友達光電股份有限公司
案號 0921197022003-07-18IPC H01L21/3065
電漿處理裝置及電漿處理方法
松下電器產業股份有限公司
案號 0921196562003-07-18IPC H01L21/3065
用於形成高縱橫比接觸孔之蝕刻方法及組合物
南亞科技股份有限公司
案號 0921194712003-07-17IPC H01L21/3065
乾蝕刻方法、乾蝕刻氣體及全氟-２-戊炔之製法
日本傑恩股份有限公司
案號 0921193952003-07-16IPC H01L21/3065
具有磁性電漿控制之電容耦合電漿反應器
應用材料股份有限公司
案號 0921185292003-07-07IPC H01L21/3065
處理裝置及處理方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921184732003-07-07IPC H01L21/3065
電漿處理方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921172662003-06-25IPC H01L21/3065
磁控管電漿處理裝置
東京威力科創股份有限公司
案號 0921168622003-06-20IPC H01L21/3065
電漿處理反應器與乾式蝕刻製程
茂德科技股份有限公司
案號 0921159532003-06-12IPC H01L21/3065
電子裝置之製造方法
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921156572003-06-10IPC H01L21/3065
可減少矽流失之去除光阻的方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921155892003-06-09IPC H01L21/3065
乾蝕刻過程中偵知終點之方法
半導體系統整合股份有限公司
案號 0921156042003-06-09IPC H01L21/3065
用於電漿蝕刻反應器之陰極承載座
應用材料股份有限公司
案號 0921151392003-06-03IPC H01L21/3065
磁控管電漿用磁場發生裝置
信越化學工業股份有限公司
案號 0921149302003-06-02IPC H01L21/3065
雙層鑲嵌半導體裝置
夏普股份有限公司
案號 0921147522003-05-30IPC H01L21/3065