IPC H01L21/30 專利列表
共 510 筆結果
低介電常數薄膜之電漿表面鈍化改質處理方法
私立逢甲大學
案號 0921130502003-05-14IPC H01L21/306
電感耦合電漿處理裝置
東京威力科創股份有限公司
案號 0921131262003-05-14IPC H01L21/3065
電漿處理裝置及電漿處理方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921131112003-05-14IPC H01L21/3065
暫時性固定固體用組成物及方法
ＪＳＲ股份有限公司
案號 0921128402003-05-12IPC H01L21/304
蝕刻氮化矽薄膜的設備及方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921127942003-05-12IPC H01L21/306
於含矽介電材料中蝕刻一溝渠之方法
應用材料股份有限公司
案號 0921127342003-05-09IPC H01L21/3065
防止晶圓在半導體製程中龜裂的方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921126142003-05-08IPC H01L21/304
基材加工裝置及基材加工方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921124252003-05-07IPC H01L21/306
用於電化學機械研磨之導電研磨件
應用材料股份有限公司
案號 0921124892003-05-07IPC H01L21/306
側壁保護之選擇性蝕刻方法及應用該方法所組成之結構
華新麗華股份有限公司
案號 0921123742003-05-06IPC H01L21/306
於電漿加工處理室中用於使發弧現象減低至最小程度之裝置與方法
泛林股份有限公司
案號 0921120832003-05-02IPC H01L21/3065
清洗孔洞材料之方法及其裝置
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921121772003-05-02IPC H01L21/304
於高密度電漿處理室內蝕刻相對於氧化物具有高選擇性之氮化矽間隙壁之方法
應用材料股份有限公司
案號 0921120512003-05-01IPC H01L21/3065
半導體晶圓之製造方法及晶圓
信越半導體股份有限公司
案號 0921100462003-04-29IPC H01L21/304
蝕刻晶面對準方法
逢源科技股份有限公司
案號 0921099272003-04-28IPC H01L21/3063
半導體材料的機械加工技術
電子科學工業有限公司
案號 0921095982003-04-24IPC H01L21/304
製造外科用刀片的系統及方法
比佛 維茲泰克國際美國公司
案號 0921093422003-04-22IPC H01L21/302
承載頭之振動吸收
應用材料股份有限公司
案號 0921089822003-04-16IPC H01L21/304
半導體結構之製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921088512003-04-16IPC H01L21/306
使用四道遮罩製程形成橫向電場驅動液晶顯示面板的方法
瀚宇彩晶股份有限公司
案號 0921087312003-04-15IPC H01L21/30