IPC H01L21/30 專利列表
共 510 筆結果
於光阻蝕刻中之預終點技術
泛林股份有限公司
案號 0921290292003-10-20IPC H01L21/3065
製程反應室的定壓控制方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921290462003-10-20IPC H01L21/3065
對於半導體處理室之氟之次大氣壓供給
ＢＯＣ集團公司
案號 0921288662003-10-17IPC H01L21/306
晶圓清洗之旋轉溼製程及其設備
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921289362003-10-17IPC H01L21/306
具有高介電常數介電層之閘極結構及其製作方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921288122003-10-17IPC H01L21/306
圖案化金屬層的方法與金屬內連線的製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921288312003-10-17IPC H01L21/3065
晶片研磨機台及避免晶片產生裂痕之研磨方法
力晶半導體股份有限公司
案號 0921287552003-10-16IPC H01L21/304
近接曝光的對位方法及對位裝置
住友重機械工業股份有限公司
案號 0921286082003-10-15IPC H01L21/30
蝕刻含矽介電材料之方法
應用材料股份有限公司
案號 0921280072003-10-08IPC H01L21/3065
電漿表面處理裝置
積水化學工業股份有限公司
案號 0921278162003-10-07IPC H01L21/3065
使用氣泡的基材表面處理方法及設備
財團法人工業技術研究院
案號 0921277152003-10-06IPC H01L21/306
減少晶圓電弧之方法
蘭姆研究公司
案號 0921270322003-09-30IPC H01L21/3065
使用樹脂粒子之半導體基板上之有機膜之研磨方法及研磨液
東芝記憶體股份有限公司
案號 0921266612003-09-26IPC H01L21/304
晶圓保持體及半導體製造裝置
住友電氣工業股份有限公司
案號 0921266742003-09-26IPC H01L21/30
晶圓切割方法
日月光半導體製造股份有限公司
案號 0921266882003-09-26IPC H01L21/304
多晶矽蝕刻方法
山葉股份有限公司
案號 0921264832003-09-25IPC H01L21/3065
聚矽薄膜半導體之底層
康寧公司
案號 0921267272003-09-25IPC H01L21/30
半導體晶圓及半導體晶片暨半導體晶圓之切割方法
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921261702003-09-23IPC H01L21/301
研磨墊與其製造方法以及研磨晶圓的方法
智勝科技股份有限公司
案號 0921261422003-09-23IPC H01L21/304
避免多晶矽層過蝕刻異常之方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921260722003-09-22IPC H01L21/306