IPC H01L21/31 專利列表
共 178 筆結果
次奈米絕緣膜之自由基氮化處理
東京威力科創股份有限公司
案號 0911355072002-12-06IPC H01L21/318
隔離多孔性低介電常數介電薄膜之結構及方法
艾基爾系統公司
案號 0911354322002-12-06IPC H01L21/316
估測氧化層形成厚度與管線測漏之方法
台灣茂矽電子股份有限公司
案號 0911350662002-12-03IPC H01L21/31
半導體裝置及其製造方法
富士通半導體股份有限公司
案號 0911344992002-11-27IPC H01L21/31
半導體裝置之製造方法
ＮＥＣ電子股份有限公司
案號 0911343732002-11-26IPC H01L21/316
用於半導體裝置之雙鑲嵌製程之遮罩層及跨接結構之形成方法
安華高科技通用ＩＰ（新加坡）公司
案號 0911339962002-11-21IPC H01L21/31
鈍化層中不會形成裂縫之積體電路
通用半導體股份有限公司
案號 0911337482002-11-19IPC H01L21/31
在一半導體基板上形成一圖案之方法
億恒科技公司
案號 0911335022002-11-15IPC H01L21/31
半導體裝置之製造方法
富士通股份有限公司
案號 0911334242002-11-14IPC H01L21/31
半導體裝置及其製造方法
日立製作所股份有限公司
案號 0911332902002-11-13IPC H01L21/31
絕緣膜蝕刻裝置
阿內魯巴股份有限公司
案號 0911331702002-11-12IPC H01L21/311
用於製造半導體元件之方法以及基材加工裝置
日商國際電氣股份有限公司
案號 0911331692002-11-12IPC H01L21/31
閥裝置及熱處理裝置
東京威力科創股份有限公司
案號 0911330652002-11-11IPC H01L21/31
製造半導體裝置之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0911330382002-11-11IPC H01L21/31
氧化膜之形成方法及其裝置
明電舍股份有限公司
案號 0911324742002-11-04IPC H01L21/31
雷射裝置，雷射照射方法，半導體裝置之製造方法，半導體裝置，使用雷射裝置之半導體裝置之生產系統及電子設備
半導體能源研究所股份有限公司
案號 0911321672002-10-30IPC H01L21/311
半導體積體電路裝置之製造方法
日立製作所股份有限公司
案號 0921197512002-04-19IPC H01L21/318
半導體積體電路裝置之製造方法
日立製作所股份有限公司
案號 0931021842001-07-26IPC H01L21/318