IPC H01L21/324 專利列表
共 73 筆結果
一種閘極氧化層的形成方法
南亞科技股份有限公司
案號 0931071642004-03-17IPC H01L21/324
矽結晶之系統及方法
三星電子股份有限公司
案號 0931067762004-03-12IPC H01L21/324
雷射退火裝置及雷射退火製程
友達光電股份有限公司
案號 0931064272004-03-11IPC H01L21/324
半導體基板用熱處理治具及半導體基板的熱處理方法
三菱住友矽晶股份有限公司
案號 0931048102004-02-25IPC H01L21/324
矽結晶之系統及方法
三星顯示器有限公司
案號 0931047872004-02-25IPC H01L21/324
熱互連系統，生產方法及其使用
哈尼威爾國際公司
案號 0931041352004-02-19IPC H01L21/324
用以控制穿透差排密度之具有圖案之應變鬆弛矽鍺磊晶層之製作方法
財團法人工業技術研究院
案號 0931028612004-02-06IPC H01L21/324
半導體裝置之製造方法
聯晶半導體股份有限公司
案號 0931006922004-01-12IPC H01L21/324
具相位改變材料及平行加熱器之電子裝置
恩智浦股份有限公司
案號 0921355832003-12-16IPC H01L21/324
電漿輔助燒結
ＢＴＵ國際股份有限公司
案號 0921340432003-12-03IPC H01L21/324
迅速熱退火具有邊緣之多層晶圓的方法
斯歐埃技術公司
案號 0921307682003-11-04IPC H01L21/324
半導體裝置之製造方法
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921294022003-10-23IPC H01L21/324
具變換粒徑之矽層的結構以及藉熱製程形成此結構的方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921273942003-10-03IPC H01L21/324
應變鬆弛之矽鍺結晶層製造方法
財團法人工業技術研究院
案號 0921271052003-09-30IPC H01L21/324
用於補償回火非均一性的方法及系統
瓦里安半導體設備聯合公司
案號 0921269932003-09-30IPC H01L21/324
半導體材料晶圓之快速退火方法
斯歐埃技術公司
案號 0921269222003-09-30IPC H01L21/324
熱處理裝置
東京威力科創股份有限公司
案號 0921263262003-09-24IPC H01L21/324
利用雷射結晶形成多晶系膜層的方法
統寶光電股份有限公司
案號 0921255792003-09-17IPC H01L21/324
退火晶圓之硼污染消滅方法
三菱住友矽晶股份有限公司
案號 0921239752003-08-29IPC H01L21/324
雷射結晶化處理基材上薄膜區域以提供實質均一性之製程與系統及此種薄膜區域之結構
紐約市哥倫比亞大學理事會
案號 0921227872003-08-19IPC H01L21/324