IPC H01L21/324 專利列表
共 73 筆結果
含加熱蓋之加熱處理站
艾福斯埃國際公司
案號 0921226232003-08-18IPC H01L21/324
熱處理方法及熱處理裝置
東京威力科創股份有限公司
案號 0921219062003-08-08IPC H01L21/324
熱處理半導體晶圓之裝置及方法
瑪特森熱產品有限公司
案號 0921215962003-08-07IPC H01L21/324
熱平板退火處理
晶圓大師股份有限公司
案號 0921209852003-07-31IPC H01L21/324
在矽晶片上成長鍺薄膜之方法
國立交通大學
案號 0921205022003-07-28IPC H01L21/324
多晶矽薄膜的製造方法
友達光電股份有限公司
案號 0921201922003-07-24IPC H01L21/324
閘極與電容器介電質的低溫臭氧退火方法
艾斯摩美國股份有限公司
案號 0921195822003-07-17IPC H01L21/324
熱互連及界面系統，其製造方法及用途
哈尼威爾國際公司
案號 0921192652003-07-15IPC H01L21/324
於基板上形成多晶矽層之方法
友達光電股份有限公司
案號 0921180192003-07-01IPC H01L21/324
製造高純度碳化矽結晶中半絕緣電阻率的方法
美商沃孚半導體有限公司
案號 0921171202003-06-24IPC H01L21/324
半導體製造裝置用之晶圓固持器及安裝其之半導體製造裝置
住友電氣工業股份有限公司
案號 0921169812003-06-23IPC H01L21/324
半導體製造裝置
夏普股份有限公司
案號 0921163962003-06-17IPC H01L21/324
金屬層的改質方法
矽統科技股份有限公司
案號 0921150122003-06-03IPC H01L21/324
金屬矽化雙層結構及其形成方法與具有金屬矽化雙層結構之半導體裝置及其形成方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921150172003-06-03IPC H01L21/324
低溫多晶矽薄膜電晶體主動層之雷射再結晶方法
國立交通大學
案號 0921146242003-05-29IPC H01L21/324
維持晶圓在理想製程溫度的裝置
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921136452003-05-20IPC H01L21/324
多重退火製程
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921136482003-05-20IPC H01L21/324
降低半導體元件中二矽化鈷層的電阻值之方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921127602003-05-09IPC H01L21/324
鈍化多晶矽的方法以及製造多晶矽薄膜電晶體的方法
統寶光電股份有限公司
案號 0921125332003-05-08IPC H01L21/324
快速熱退火製程
旺宏電子股份有限公司
案號 0921122092003-05-05IPC H01L21/324