IPC H01L21/76 專利列表
共 492 筆結果
改良之深溝槽結構製程方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921216362003-08-07IPC H01L21/76
介層洞優先雙鑲嵌製程
聯華電子股份有限公司
案號 0921217192003-08-07IPC H01L21/76
積體電路之電容結構及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921214622003-08-06IPC H01L21/768
一種可重複進行之旋轉塗佈製程
力晶半導體股份有限公司
案號 0921215542003-08-06IPC H01L21/76
自行對準一鑲嵌式閘極結構至隔離區之方法
特許半導體製造公司
案號 0921213312003-08-05IPC H01L21/76
半導體裝置之製造方法
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921213632003-08-05IPC H01L21/768
防止導線短路之方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921214112003-08-05IPC H01L21/768
微電子方法及結構
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921213092003-08-04IPC H01L21/768
雙重金屬鑲嵌製程
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921212202003-08-01IPC H01L21/76
分別蝕刻周邊電路區與晶胞區之浮置閘極複晶矽層之方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921212172003-08-01IPC H01L21/76
連接墊結構及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921209432003-07-31IPC H01L21/768
金屬-金屬電容器的裝置
聯華電子股份有限公司
案號 0921209102003-07-30IPC H01L21/768
半導體裝置及其製造方法
索思未來股份有限公司
案號 0921205272003-07-28IPC H01L21/768
形成雙鑲嵌開口的方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921203432003-07-25IPC H01L21/768
形成含鋁內連線的方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921203562003-07-25IPC H01L21/768
具有高介電質常數閘極介電質之三閘氧化層製程
特許半導體製造公司
案號 0921203312003-07-25IPC H01L21/762
隔離區的形成方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921203322003-07-25IPC H01L21/76
一種製作不對稱溝渠內結構之方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921201902003-07-24IPC H01L21/76
互連系統
溫徹斯特電子公司
案號 0921202172003-07-24IPC H01L21/768
具有被動元件之晶片結構及形成被動元件於晶片結構上之方法
高通公司
案號 0921200502003-07-23IPC H01L21/762