IPC H01L21/76 專利列表
共 492 筆結果
具有以單一離子佈植步驟形成之摻雜柱形區的電壓維持區的功率半導體裝置
通用半導體股份有限公司
案號 0921059282003-03-18IPC H01L21/76
填充接觸孔之方法及具接觸孔之積體電路裝置
英飛凌科技股份公司
案號 0921057242003-03-14IPC H01L21/768
半導體元件及其製造方法
富士通微電子股份有限公司
案號 0921055022003-03-13IPC H01L21/768
形成一貫通基板的互連結構體之方法（一）
三星電子股份有限公司
案號 0921053922003-03-12IPC H01L21/768
形成一貫通基板的互連結構體之方法（二）
惠普研發公司
案號 0921053932003-03-12IPC H01L21/768
同時摻雜和燒結而形成薄膜層的方法
維瑞安半導體設備公司
案號 0921051812003-03-11IPC H01L21/76
ＤＭＯＳ之終止結構
茂德科技股份有限公司
案號 0921052502003-03-11IPC H01L21/768
半導體元件的製造方法
華邦電子股份有限公司
案號 0921051882003-03-11IPC H01L21/76
形成鑲嵌結構之方法
矽統科技股份有限公司
案號 0921050802003-03-10IPC H01L21/768
整合鑲嵌製程於製造金屬-絕緣物-金屬型電容之方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921050852003-03-10IPC H01L21/768
半導體裝置
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921049652003-03-07IPC H01L21/768
溝槽式基材及其形成之方法與系統
惠普研發公司
案號 0921048512003-03-06IPC H01L21/76
瓶型渠溝的形成方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921047692003-03-06IPC H01L21/76
製造淺溝槽隔離結構（ＳＴＩ）的方法
矽統科技股份有限公司
案號 0921047702003-03-06IPC H01L21/76
一種具高細胞元密度之溝渠式高功率半導體元件及製造方法
富鼎先進電子股份有限公司
案號 0921048582003-03-06IPC H01L21/76
一種具低電阻特性之溝渠式高功率半導體元件及製造方法
富鼎先進電子股份有限公司
案號 0921048572003-03-06IPC H01L21/764
接觸窗的製造方法及其結構
友達光電股份有限公司
案號 0921046162003-03-05IPC H01L21/768
降低應力遷移之多重金屬內連線佈局及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921047272003-03-05IPC H01L21/768
高介電常數之閘極介電層與改善閘極介電層之電性的方法以及具有高介電常數之閘極介電層的金氧半電晶體
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921043842003-03-03IPC H01L21/76
防止保險絲之側壁損壞之半導體元件的後段製程方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921041392003-02-27IPC H01L21/76