IPC H01L21/76 專利列表
共 492 筆結果
一種具有雙層保護層之鑲嵌金屬內連線結構
聯華電子股份有限公司
案號 0921020732003-01-29IPC H01L21/768
一種製作雙鑲嵌結構的方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921020702003-01-29IPC H01L21/768
具有介電質阻障層之鑲嵌結構及其製程
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921020592003-01-29IPC H01L21/762
形成雙鑲嵌結構的方法
矽統科技股份有限公司
案號 0921019352003-01-29IPC H01L21/768
形成半導體鑲嵌結構之蝕刻製程
聯華電子股份有限公司
案號 0921018622003-01-28IPC H01L21/76
藉由改變功率電晶體閘極氧化物層結構以增進開關切換速率之方法及裝置(二)
華瑞股份有限公司
案號 0921018362003-01-28IPC H01L21/76
形成鋁金屬接線之方法
三星電子股份有限公司
案號 0921015972003-01-24IPC H01L21/768
內嵌被動元件之半導體封裝基板及其製法
全懋精密科技股份有限公司
案號 0921015612003-01-24IPC H01L21/76
一種淺溝隔離之製作方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921015322003-01-23IPC H01L21/76
半導體裝置之製造方法
夏普股份有限公司
案號 0921015052003-01-23IPC H01L21/76
SOI型半導體裝置及其製造方法
日商松下半導體解決方案股份有限公司
案號 0921013622003-01-22IPC H01L21/762
具有隔離層的半導體模組及其製造方法
億恒科技公司
案號 0921013532003-01-22IPC H01L21/76
保護金屬導線之阻障層的形成方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921012192003-01-21IPC H01L21/76
於鑲嵌結構上形成阻障層之方法
矽統科技股份有限公司
案號 0921010972003-01-20IPC H01L21/768
形成多種寬度間隙壁之方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921011772003-01-20IPC H01L21/76
藉由改變功率電晶體閘極氧化物層結構以增進開關切換速率之方法及裝置
華瑞股份有限公司
案號 0921010432003-01-17IPC H01L21/76
不具小凸起之閘層及其製造方法
奇美電子股份有限公司
案號 0921009272003-01-16IPC H01L21/768
穿透接點及其製造方法
億恒科技公司
案號 0921008722003-01-16IPC H01L21/768
高密度凸栓微連結系統及其製造方法
烏翠泰克股份有限公司
案號 0921008352003-01-16IPC H01L21/768
半導體裝置的製造方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921007992003-01-15IPC H01L21/768